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투명 전도막 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015083611
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전도막의 식각 방법에 관한 것으로서, 특히 투명 전도막 상에 기능성 막을 형성하여 식각 경계면의 길이를 단축하는 투명 전도막 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 전도막 식각 방법은 상기 투명 전도막 상에 식각에 내구성을 가지는 기능성 막을 형성하는 단계; 포토레지스트를 이용하여 상기 투명 전도막을 식각하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 기능성 막을 제거하는 단계로 구성된다. 본 발명은 투명 전도막 상에 에치 스토퍼 층을 형성하여 투명 전도막의 식각 경계면의 길이를 단축시킴으로써, 우수한 스텝 커버리지를 갖는 투명 전도막 패턴을 형성할 수 있고 미세한 패터닝을 통해 박막 트랜지스터의 면적을 감소시킬 수 있다. 투명 전도막, 식각, 기능성 막
Int. CL G02F 1/13 (2006.01) G02F 1/1343 (2006.01)
CPC G02F 1/1303(2013.01) G02F 1/1303(2013.01) G02F 1/1303(2013.01) G02F 1/1303(2013.01)
출원번호/일자 1020070133435 (2007.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0065893 (2009.06.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.18)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유민기 대한민국 서울특별시 노원구
2 박상희 대한민국 대전광역시 유성구
3 정우석 대한민국 대전광역시 유성구
4 황치선 대한민국 대전 대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0910878-48
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0019411-56
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0155662-19
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0155661-63
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2009.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0314674-33
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0594483-62
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0036278-36
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.02.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0007633-11
10 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2010.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0178278-22
11 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2010.05.31 수리 (Accepted) 7-8-2010-0016693-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전도막을 식각하는 방법에 있어서, (a) 상기 투명 전도막 상에 식각에 내구성을 가지는 기능성 막을 형성하는 단계; (b) 포토레지스트를 이용하여 상기 투명 전도막을 식각하는 단계; (c) 상기 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 (d) 상기 기능성 막을 제거하는 단계 를 포함하는 투명 전도막 식각 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기능성 막은 Ti, Ni, Cu, Au, Pt 및 이들의 합금 중 어느 하나로 구성되는 투명 전도막 식각 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기능성 막은 Al2O3, TiO2, NiO2 및 SnO2 중 어느 하나를 포함하는 산화물로 구성되는 투명 전도막 식각 방법
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 기능성 막의 두께는 0
5 5
제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 기능성 막의 두께는 0
6 6
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기능성 막의 두께는 1 nm 내지 2 nm인 투명 전도막 식각 방법
7 7
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (b)는 식각 용액을 이용한 습식 식각을 수행하는 투명 전도막 식각 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 단계 (d)는 상기 식각 용액을 이용하여 3초 내지 5초 동안 상기 기능성 막을 식각하는 투명 전도막 식각 방법
9 9
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (b)는 건식 식각을 수행하는 투명 전도막 식각 방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 건식 식각은 이온빔 식각 및 스퍼터 식각을 포함하는 투명 전도막 식각 방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 단계 (d)는 상기 건식 식각을 통해 상기 기능성 막을 제거하는 투명 전도막 식각 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 투명전자 소자를 이용한 스마트 창