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광 도파로 구조체 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2015083929
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 광 도파로 구조체 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 전이 영역을 갖는 기판을 준비하고, 기판 상에 전이 영역을 가로지르는 고굴절률 패턴을 형성하고, 기판 상에 전이 영역에서 예각을 이루면서 고굴절률 패턴을 가로지르는 저굴절률 패턴을 형성한 후, 저굴절률 패턴에 의해 노출되는 고굴절률 패턴을 식각하여, 전이 영역에서 저굴절률 패턴과 평행한 일 측벽을 갖는 고굴절률 코어를 형성하는 단계를 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | G02B 6/10 (2006.01) |
| CPC | G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070128259 (2007.12.11) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0918379-0000 (2009.09.15) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0061293 (2009.06.16) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20090922) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.12.11) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김덕준 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 2 | 이종무 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 표정형 | 대한민국 | 서울 마포구 |
| 4 | 송정호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 5 | 권오균 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 6 | 김경옥 | 대한민국 | 서울 강남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0889738-71 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.12.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0002617-74 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0360834-65 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 전이 영역을 갖는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에, 상기 전이 영역을 가로지르는 고굴절률 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 상에, 상기 전이 영역에서 예각을 이루면서 상기 고굴절률 패턴을 가로지르는 저굴절률 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 저굴절률 패턴에 의해 노출되는 상기 고굴절률 패턴을 식각함으로써, 상기 전이 영역에서 상기 저굴절률 패턴과 평행한 일 측벽을 갖는 고굴절률 코어를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체의 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 전이 영역에서 상기 고굴절률 패턴 및 상기 저굴절률 패턴이 이루는 각도는 1 내지 45도인 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 고굴절률 코어는 상기 저굴절률 패턴보다 좁은 폭을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체의 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 상기 전이 영역의 양측에 배치되는 제 1 도파로 영역 및 제 2 도파로 영역을 포함하되, 상기 저굴절률 패턴은 상기 제 2 도파로 영역에서 저굴절률 도파로의 코어 패턴으로 사용되고, 상기 제 1 도파로 영역 및 상기 전이 영역에서 상기 고굴절률 코어를 덮는 클래드 패턴으로 사용되는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 전이 영역에서, 상기 고굴절률 코어는 그것의 마주보는 두 측벽들 사이의 거리가 상기 제 2 도파로 영역에 가까울수록 감소하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서, 상기 전이 영역에서, 상기 고굴절률 코어의 일 측벽은 이에 인접하는 상기 저굴절률 패턴의 일 측벽과 평행하고, 상기 고굴절률 코어의 다른 측벽은 상기 저굴절률 패턴의 다른 측벽과 예각을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 4 항에 있어서, 상기 저굴절률 패턴은 상기 제 2 도파로 영역에서보다 상기 제 1 도파로 영역에서 더 넓은 폭을 갖고, 상기 전이 영역에서 상기 제 2 도파로 영역으로 갈수록 좁아지는 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 저굴절률 패턴 및 상기 고굴절률 코어를 덮는 상부 클래딩막을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 저굴절률 패턴은 상기 고굴절률 패턴보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성되고, 상기 상부 클래딩막은 상기 저굴절률 패턴보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 1 도파로 영역, 제 2 도파로 영역 및 이들 사이의 전이 영역을 포함하는 기판; 상기 제 1 도파로 영역으로부터 상기 전이영역으로 연장된 고굴절률 코어; 및 상기 고굴절률 코어를 덮으면서, 상기 제 2 도파로 영역으로부터 상기 전이영역을 가로질러 상기 제 1 도파로 영역으로 연장되는 저굴절률 패턴을 포함하되, 상기 전이 영역에서, 상기 고굴절률 코어의 일 측벽은 이에 인접하는 상기 저굴절률 패턴의 일 측벽과 평행하고, 상기 고굴절률 코어의 다른 측벽은 상기 저굴절률 패턴의 상기 일 측벽과 예각을 이루는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서, 상기 전이 영역에서, 상기 고굴절률 코어의 마주보는 두 측벽들 사이의 거리는 상기 제 2 도파로 영역에 가까울수록 감소하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서, 상기 저굴절률 패턴은 상기 제 2 도파로 영역에서 코어 패턴으로 사용되고, 상기 제 1 도파로 영역 및 상기 전이 영역에서 상기 고굴절률 코어를 덮는 클래드 패턴으로 사용되는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체 |
| 12 |
12 제 9 항에 있어서, 상기 고굴절률 코어는 상기 저굴절률 패턴보다 좁은 폭을 갖고, 상기 저굴절률 패턴은 상기 제 2 도파로 영역에서보다 상기 제 1 도파로 영역에서 더 넓은 폭을 갖고, 상기 전이 영역에서 상기 제 2 도파로 영역으로 갈수록 좁아지는 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체 |
| 13 |
13 제 9 항에 있어서, 상기 예각을 이루는 상기 고굴절률 코어 및 상기 저굴절률 패턴의 측벽들 사이의 각도는 1 내지 45도 인 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체 |
| 14 |
14 제 9 항에 있어서, 상기 저굴절률 패턴 및 상기 고굴절률 코어를 덮는 상부 클래딩막을 더 포함하되, 상기 저굴절률 패턴은 상기 고굴절률 코어보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성되고, 상기 상부 클래딩막은 상기 저굴절률 패턴보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광 도파로 구조체 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 | 한국전자통신연구원 | IT원천기술개발 | 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0918379-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20071211 출원 번호 : 1020070128259 공고 연월일 : 20090922 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090829 청구범위의 항수 : 14 유별 : G02B 6/10 발명의 명칭 : 광 도파로 구조체 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20120916 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2009년 09월 16일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0889738-71 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.12.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2009.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0002617-74 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 5 | 등록결정서 | 2009.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0360834-65 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415100590 |
|---|---|
| 세부과제번호 | KI001499 |
| 연구과제명 | 실리콘기반초고속광인터커넥션IC |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200602~201101 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1445006529 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-S-004-02 |
| 연구과제명 | 실리콘기반초고속광인터커넥션IC |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200702~200801 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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