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반절연성 기판; 및
상기 반절연성 기판의 상부에 전압 인가를 위해 형성된 전극 패턴을 갖으며, 넓은 띠 간격 소재가 상기 전극 패턴 상부에 일렬로 정렬되어 어레이 형태로 형성된 광전도 안테나를 포함하되,
상기 넓은 띠 간격 소재는 나노 크기를 갖는 소재로서, 산화물 소재 또는 반도체 소재 중 하나임을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자
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제1항에 있어서,
상기 넓은 띠 간격 소재는 나노 크기를 갖는 소재로서, 근접장 전기 방사법을 이용하여 정렬함을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자
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제2항에 있어서,
상기 근접장 전기방사법은 상기 나노 크기를 갖는 소재를 형성하도록 유기-무기 혼합 용액을 방사하는 근접장 전기방사 장치의 노즐을 상기 반절연성 기판으로 근접시킨 후, 방사 속도를 제어하고 미리 설정된 제어값에 따라 상기 나노 크기를 갖는 소재의 위치 및 형태를 제어하여 상기 나노 크기를 갖는 소재를 일렬로 정렬하는 방식임을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자
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제3항에 있어서,
상기 근접장 전기방사법은 상기 노즐과 상기 반절연성 기판 사이의 거리를 5 ~ 500μm 이내로 조절하여 상기 노즐을 상기 반절연성 기판으로 근접시킴을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자
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반절연성 기판; 및
상기 반절연성 기판의 상부에 전극 간의 간격을 설정값 이상으로 넓힌 형태로 형성된 전압 인가를 위한 전극 패턴을 갖으며, 상기 전극 패턴 상부에 넓은 띠 간격 소재가 증착된 광전도 안테나를 포함하되,
상기 넓은 띠 간격 소재는 나노 크기를 갖는 소재로서, 산화물 소재 또는 반도체 소재 중 하나임을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자
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제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 광전도 안테나를 기준으로 자외선 영역의 광파가 주입되는 반대 측에 형성되며, 상기 광전도 안테나를 통해 출력되는 상기 테라헤르츠파를 모아서 외부로 고출력의 테라헤르츠파를 발생하는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자
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제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 넓은 띠 간격 소재는 나노 크기를 갖는 소재로서, ZnO, In2O3 또는 SnO2의 넓은 띠 간격 산화물 소재 및 SiC, GaN 또는 다이아몬드(Diamond)의 넓은 띠 간격 반도체 소재 중 하나임을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자
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제5항에 있어서,
상기 넓은 띠 간격 소재는 상기 산화물 소재인 경우, 열적 기상 증착(Thermal CVD), 졸-겔(Sol-Gel), 펄스 레이저 증착(PLD), 스퍼터링(Sputtering) 중 하나를 사용하여 성장되며, 상기 반도체 소재인 경우, 화학기상 증착(MOCVD) 또는 분자선 에픽텍시를 사용하여 성장됨을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자
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제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 광전도 안테나는 상기 전극 패턴의 전극 간의 간격을 10μm 이상으로 넓힌 금속 평행전송선로 형성됨을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자
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반절연성 기판을 형성하는 단계;
상기 반절연성 기판의 상부에 전극 패턴을 형성하는 단계;
넓은 띠 간격 소재를 근접장 전기방사법을 이용하여 상기 전극 패턴 상부에 일렬로 정렬하여 광전도 안테나를 형성하는 단계를 포함하되,
상기 넓은 띠 간격 소재는 나노 크기를 갖는 소재로서, 산화물 소재 또는 반도체 소재 중 하나임을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 제조 방법
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반절연성 기판을 형성하는 단계;
상기 반절연성 기판 상부에 전극 간 간격을 설정값 이상으로 넓힌 전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 전극 패턴 상부에 넓은 띠 간격 소재를 증착하여 광전도 안테나를 형성하는 단계를 포함하되,
상기 넓은 띠 간격 소재는 나노 크기를 갖는 소재로서, 산화물 소재 또는 반도체 소재 중 하나임을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 제조 방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 광전도 안테나를 통해 출력되는 테라헤르츠파를 모아서 외부로 상기 고출력의 테라헤르츠파를 발생하기 위한 렌즈를 상기 광전도 안테나를 기준으로 자외선 영역의 광파가 주입되는 반대 측에 형성하는 단계 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 제조 방법
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13
제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 넓은 띠 간격 소재는 나노 크기를 갖는 소재로서, ZnO, In2O3 또는 SnO2의 넓은 띠 간격 산화물 소재 및 SiC, GaN 또는 다이아몬드(Diamond)의 넓은 띠 간격 반도체 소재 중 하나임을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 제조 방법
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제11항에 있어서,
상기 넓은 띠 간격 소재는 상기 산화물 소재인 경우, 열적 기상 증착(Thermal CVD), 졸-겔(Sol-Gel), 펄스 레이저 증착(PLD), 스퍼터링(Sputtering) 중 하나를 사용하여 성장되며, 상기 반도체 소재인 경우, 화학기상 증착(MOCVD) 또는 분자선 에픽텍시를 사용하여 성장됨을 특징으로 하는 근접장 전기방사법을 이용한 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 제조 방법
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제10항에 있어서,
상기 근접장 전기방사법은 상기 넓은 띠 간격 소재를 형성하도록 유기-무기 혼합 용액을 방사하는 근접장 전기방사 장치의 노즐을 상기 반절연성 기판으로 근접시킨 후, 방사 속도를 제어하고, 미리 설정된 제어값에 따라 상기 넓은 띠 간격 소재의 위치 및 형태를 제어하여 상기 넓은 띠 간격 소재를 일렬로 정렬하는 방식임을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 제조 방법
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제15항에 있어서,
상기 근접장 전기방사법은 상기 노즐과 상기 반절연성 기판 사이의 거리를 5 ~ 500μm 이내로 조절하여 상기 노즐을 상기 반절연성 기판으로 근접시킴을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 제조 방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 전극 패턴을 형성하는 단계는, 상기 전극 패턴의 전극 간의 간격을 10μm 이상으로 넓힌 금속 평행전송선로로 형성함을 특징으로 하는 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 제조 방법
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