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스퍼터링 방식으로 제1 산화아연 박막을 20℃ 내지 500℃의 온도에서 저온 증착시키는 제1 단계; 및
불활성 기체와 산소가 함께 주입된 환경하에서 상기 제1 산화아연 박막을 100℃ 내지 700 ℃의 온도에서 저온 열처리하여 바리스터용 산화아연 박막을 형성하는 제2 단계를 포함하는 박막형 바리스터 소자 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 단계 이전에, 스퍼터링 방식으로 기판 및 상기 바리스터용 산화아연 박막 사이에 위치되도록 제2 산화아연 박막을 20℃ 내지 500℃의 온도에서 저온 증착시킨 후 상기 불활성 기체만이 주입된 환경하에서 상기 제2 산화아연 박막을 100℃ 내지 700 ℃의 온도에서 저온 열처리하여, 하부 금속 전극용 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 단계 이후에, 스퍼터링 방식으로 상기 바리스터용 산화아연 박막의 상부에 위치되도록 제3 산화아연 박막을 20℃ 내지 500℃의 온도에서 저온 증착시킨 후 상기 불활성 기체만이 주입된 환경하에서 상기 제3 산화아연 박막을 100℃ 내지 700 ℃의 온도에서 저온 열처리하여, 상부 금속 전극용 산화아연 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 바리스터 소자 제조 방법
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3
제2항에 있어서,
상기 바리스터용 산화아연 박막의 증착시 인가되는 플라즈마 파워가 상기 하부 금속 전극용 산화아연 박막 및 상기 상부 금속 전극용 산화아연 박막의 증착시 인가되는 플라즈마 파워 보다 낮은 것을 특징으로 하는 박막형 바리스터 소자 제조 방법
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4
제2항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 산화아연 박막은
산소 미주입 상태에서 저온 증착되는 것을 특징으로 하는 박막형 바리스터 소자 제조 방법
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스퍼터링 방식으로 20℃ 내지 500℃의 온도에서 저온 증착된 후, 불활성 기체와 산소가 함께 주입된 환경하에서 100℃ 내지 700 ℃의 온도에서 저온 열처리되어 형성되는 바리스터용 산화아연 박막을 포함하는 박막형 바리스터 소자
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8
제7항에 있어서,
스퍼터링 방식으로 20℃ 내지 500℃의 온도에서 저온 증착된 후 상기 불활성 기체만이 주입된 환경하에서 100℃ 내지 700 ℃의 온도에서 저온 열처리되어, 상기 바리스터용 산화아연 박막의 상하부에 형성되는 상부 금속 전극용 산화아연 박막과 하부 금속 전극용 산화아연 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 바리스터 소자
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9
제8항에 있어서,
상기 바리스터용 산화아연 박막의 증착시 인가되는 플라즈마 파워가 상기 하부 금속 전극용 산화아연 및 상기 상부 금속 전극용 산화아연 박막의 증착시 인가되는 플라즈마 파워 보다 낮은 것을 특징으로 하는 박막형 바리스터 소자
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10
제8항에 있어서,
상기 상부 금속 전극용 산화아연 박막, 상기 하부 금속 전극용 산화아연 박막 및 상기 바리스터용 산화아연 박막 각각은 산소 미주입 상태에서 20℃ 내지 500℃의 온도로 저온 증착되는 것을 특징으로 하는 박막형 바리스터 소자
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삭제
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12
삭제
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13
제7항에 있어서,
상기 바리스터용 산화아연 박막은 10 nm 내지 10μm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 박막형 바리스터 소자
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