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알루미늄 산화물,
아연 산화물, 및
주석 산화물을 포함하는 산화물 반도체 박막의 제조를 위한 스퍼터링 타겟용 조성물
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제 1항에 있어서,
인듐 산화물을 더 포함하는 스퍼터링 타겟용 조성물
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3
제 1항에 있어서,
상기 조성물에서, Al/(Al+Zn+Sn)으로 표시되는 원자비가 0
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4
제 2항에 있어서,
상기 조성물에서, Al/(Al+Zn+Sn+In)으로 표시되는 원자비가 0
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5
알루미늄 산화물, 아연 산화물 및 주석 산화물의 원료 분말을 혼합 분쇄하는 단계;
상기 분말을 소정 형태의 성형체로 성형하는 단계; 및
상기 성형체를 소결하는 단계를 포함하는 스퍼터링 타겟의 제조방법
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6
제 5항에 있어서,
상기 원료 분말에 인듐 산화물이 더 포함되는 스퍼터링 타겟의 제조방법
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7
제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 성형 단계 후 소결 단계 이전에,
성형체를 500 내지 1000℃의 온도에서 1차 하소하는 단계;
상기 1차 하소된 성형체를 2차 분쇄 혼합하는 단계; 및
상기 혼합 분말을 2차 성형하는 단계;를 포함하는 스퍼터링 타겟의 제조방법
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8
제 5항 또는 제6항에 있어서,
상기 혼합 분쇄 단계에서, 습식 볼밀을 이용하여 분말의 입경은 50㎛ 이하로 조절하는 스퍼터링 타겟의 제조방법
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9
제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 소결 단계에서, 소결 온도는 700℃ 이상인 스퍼터링 타겟의 제조방법
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10
제 5항에 따라 제조된 알루미늄 산화물, 아연 산화물 및 주석 산화물을 포함하는 스퍼터링 타겟
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제 6항에 따라 제조된 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및 인듐 산화물을 포함하는 스퍼터링 타겟
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