| 요약 |
본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서의 구조에 있어서 기존의 구조와는 달리 픽셀내의 트랜스퍼 트랜지스터가 포토 다이오드의 리셋 및 트랜스퍼 동작 시, 구동 전압이나 구동 방법과 상관없이, 트랜스퍼 트랜지스터의 턴온 전압에 영향을 받지 않는 채널과 분리된 공핍영역이 존재하도록 픽셀구조를 변경함으로써 트랜스퍼 트랜지스터의 동작조건 변화 및 픽셀간 특성의 불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정 패턴(fixed pattern) 잡음을 감소시키는 것을 목적으로 한다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 포토다이오드에서 생성된 광 유발 전하를 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀에서 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널과 확산 노드 사이에 공핍영역이 존재하도록, 즉 다시 말해 유사 핀치오프 상태로 동작하도록, 상기 트랜스퍼 트랜지스터에서 포토다이오드에 근접한 게이트 절연막의 두께보다 확산 노드쪽 절연막이 더 두꺼운, 즉 트랜스퍼 트랜지스터의 절연막이 단이 지거나 점진적인 두께 변화를 가지는 구조이거나, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널과 확산 노드 사이에 기판의 도핑 물질과 전기적으로 동일한 물질을 이용하여 포켓/할로 임플란트를 한 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.CMOS, CIS, 이미지 센서, 핀치-오프(pinch off), 암전류(dark current), 고정 패턴 잡음(fixed pattern noise)
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