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게이트와 소스가 제1 노드와 전원단자에 공통으로 각각 연결되고, 드레인이 제2, 3, 4 노드에 각각 연결되며, 전류 미러의 형태로 이루어진 제1 내지 제3 PMOS 트랜지스터;
반전 및 비반전 입력단자가 상기 제2, 3 노드에 각각 연결되며 출력단자가 상기 제1 노드에 연결된 피드백 증폭기;
상기 제2 노드와 제5 노드 사이 및 상기 제2 노드와 제6 노드 사이에 각각 연결된 제1, 2 저항;
상기 제3 노드와 제7 노드 사이 및 상기 제4 노드와 접지단자 사이에 각각 연결된 제3, 4 저항;
에미터가 상기 제5 노드와 상기 제3 노드에 각각 연결되며 콜렉터와 베이스가 접지단자에 연결된 제1, 2 바이폴라 트랜지스터; 및
게이트와 드레인이 상기 제6, 7 노드에 공통으로 각각 연결되며 소스가 접지단자에 각각 연결된 제4, 5 NMOS 트랜지스터를 포함하며,
상기 제4 노드와 접지단자 사이의 전압을 기준전압으로 사용하는 것을 특징으로 하는 밴드갭 기준전압 발생기
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제 1 항에 있어서, 상기 제2, 3 저항은 동일한 저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 밴드갭 기준전압 발생기
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제 2 항에 있어서,
상기 제1 저항과 상기 제2 바이폴라 트랜지스터에 동일한 값의 전류가 흐르며, 상기 제2 저항과 상기 제3 저항에 동일한 값의 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 밴드갭 기준전압 발생기
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제 3 항에 있어서,
상기 제1 저항에 걸리는 전압은 온도변화에 대하여 양의 비례방향으로 증가하는 특성을 가지며, 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터 전압은 온도변화에 대하여 음의 비례방향으로 감소하는 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 밴드갭 기준전압 발생기
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제 1 항에 있어서, 상기 기준전압(Vref)은,
(여기에서, R1, R3, R4는 상기 제1, 3, 4 저항, I2, I3는 상기 제2, 3 PMOS 트랜지스터에 흐르는 전류, VT는 온도 전압, n은 바이폴라 트랜지스터의 개수, VBE2는 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터 전압, VTH_M5는 상기 제5 NMOS 트랜지스터의 문턱전압을 각각 나타냄)
의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 밴드갭 기준전압 발생기
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제 5 항에 있어서,
상기 온도 전압(VT)에 대한 가중치(α)는 α=ln n*(R3/R1) 이며,
상기 기준전압이 온도변화에 무관한 전압값을 갖도록 상기 온도 전압(VT)에 대한 가중치(α)가 감소되는 것을 특징으로 하는 밴드갭 기준전압 발생기
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7
제 5 항에 있어서,
상기 기준전압은 0 내지 1V 이하의 전압값을 갖는 것을 특징으로 하는 밴드갭 기준전압 발생기
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8
제 5 항에 있어서,
상기 기준전압이 온도변화에 무관한 전압값을 갖도록 상기 제4 저항의 저항값이 조절되는 것을 특징으로 하는 밴드갭 기준전압 발생기
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