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금속 산화물 나노입자의 제조방법, 이로부터 제조된 금속산화물 나노입자, 금속 산화물 박막의 제조방법, 금속산화물 박막을 포함하는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015084165
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 산화물 나노입자의 제조방법, 이로부터 제조된 금속 산화물 나노입자, 금속 산화물 박막의 제조방법, 금속 산화물 박막을 포함하는 전자 소자에 관한 것으로, 본 발명은 용액 공정을 통해 금속 산화물 나노입자를 제조하고, 제조된 금속 산화물 나노 입자로부터 습식 공정을 통해 상온을 포함한 비교적 저온에서 금속 산화물 박막을 제조하며, 이를 반도체층으로 사용하여 전자 소자를 제작한다. 금속 산화물 나노입자, 용액 공정, 박막, 반도체층
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01)
출원번호/일자 1020080072271 (2008.07.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0011167 (2010.02.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.24)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오지영 대한민국 대전광역시 중구
2 강승열 대한민국 대전광역시 유성구
3 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
4 김철암 대한민국 서울특별시 영등포구
5 김기현 대한민국 대전광역시 유성구
6 서경수 대한민국 대전광역시 유성구
7 안성덕 대한민국 대전광역시 유성구
8 구재본 대한민국 대전광역시 유성구
9 심홍구 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0533288-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0027475-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0325830-31
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0625767-64
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0625764-27
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0115016-13
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.04.28 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2011-0016236-44
10 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2011.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0313884-05
11 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2011.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0313883-59
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2011.07.11 수리 (Accepted) 7-8-2011-0018628-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
염기성 화학종을 포함하는 알코올계 용액을 준비하는 단계; 금속 산화물 전구체 용액을 준비하는 단계; 금속 산화물 나노입자를 형성하기 위하여 상기 금속 산화물 전구체 용액을 알코올계 용액의 혼합 용액을 반응시키는 단계; 및 얻어진 금속 산화물 나노입자를 정제하는 단계를 포함하는 금속 산화물 나노입자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 알코올계 용액은 C1-C6 알코올을 포함하는 금속 산화물 나노입자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 염기성 화학종은 LiOH, NaOH, KOH, NH4OH, 이의 수화물 및 이들의 배합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 금속 산화물 나노입자의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 금속 산화물 전구체는 금속 아세테이트, 금속 알콕사이드, 금속 나이트레이트, 금속 할라이드, 이의 수화물 및 이들의 배합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 금속 산화물 나노입자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 금속 산화물 전구체의 금속은 IIA족 금속, IIIA족 금속, IV족 금속, VA족 금속, 전이 금속, 란타나이드계 금속, 악티나이드계 금속 및 이들의 배합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 금속 산화물 나노입자의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 반응 단계는 0 내지 100℃의 온도에서 1분 내지 24시간 동안 진행되는 것인 금속 산화물 나노입자의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 반응 단계에서 반응을 위하여 초음파 또는 교반을 수반하는 것인 금속 산화물 나노입자의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, Al, Cu, Ni, Ir 및 이들의 화합물로 이루어진 군에서 선택된 도펀트 화학종이 혼합 용액에 더 첨가되는 것인 금속 산화물 나노입자의 제조방법
9 9
제 1항 내지 제 8항중 어느 하나의 항에 따라 제조된 평균 직경이 10㎚ 내지 50㎚이며, 평균 길이가 10㎚ 내지 500㎚인 금속 산화물 나노입자
10 10
금속 산화물 나노입자를 용매 중에 분산시켜 분산액을 제조하는 단계; 상기 분산액을 습식 공정을 통해 기판 상에 코팅하는 단계; 및 상기 용매를 상온 내지 100℃의 온도 범위에서 제거하는 단계를 포함하는 금속 산화물 박막의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 분산액에 계면활성제가 더 포함되는 금속 산화물 박막의 제조방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 습식 공정은 스핀코팅, 딥코팅, 그라비어 코팅, 스크린 프린팅 또는 스프레이 코팅인 금속 산화물 박막의 제조방법
13 13
제 10항 내지 제 12항중 어느 하나의 항에 따라 제조된 금속 산화물 박막을 다른 처리 없이 반도체층으로 포함하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.