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1
기판 상에 식각대상막을 형성하는 것;
상기 식각대상막 상에 하드 마스크막을 형성하는 것;
상기 하드 마스크막 상에 1차 마스크 패턴들을 형성하는 것;
상기 1차 마스크 패턴들의 측벽에 제 1 스페이서들을 형성하는 것;
상기 1차 마스크 패턴들 및 상기 제 1 스페이서들을 마스크로 상기 하드 마스크막을 식각하여, 개구부를 가지는 하드 마스크 패턴들을 형성하는 것;
상기 하드 마스크 패턴들 상에, 상기 개구부를 채우는 2차 마스크 패턴들을 정렬시키는 것;
상기 2차 마스크 패턴들의 측벽에 제 2 스페이서들을 형성하는 것;
상기 2차 마스크 패턴들 및 상기 제 2 스페이서들을 마스크로 상기 하드 마스크 패턴들을 식각하여 미세 마스크 패턴들을 형성하는 것; 그리고
상기 미세 마스크 패턴들을 마스크로 상기 식각대상막을 식각하여 미세 패턴들을 형성하는 것을 포함하는 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 형성방법
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청구항 1에 있어서,
상기 미세 패턴의 폭은 포토리소그래피(photolithography) 공정에 의하여 정의되는 최소 선폭보다 작은 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 형성방법
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3
청구항 1에 있어서,
상기 미세 패턴들의 피치(pitch)는 상기 1차 마스크 패턴들 및 상기 2차 마스크 패턴들의 피치(pitch)의 2분의 1과 실질적으로 동일한 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 형성방법
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4
청구항 1에 있어서,
상기 1차 마스크 패턴들 및 상기 2차 마스크 패턴들은 포토리소그래피 공정에 의해 정의되는 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 형성방법
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5
청구항 1에 있어서,
상기 제 1 스페이서들을 형성하는 것은:
상기 1차 마스크 패턴들의 측벽에 절연 스페이서를 형성하는 것; 그리고
상기 절연 스페이서에 식각 공정을 진행하여, 상기 절연 스페이서의 폭을 감소시키는 것을 포함하는 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 형성방법
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6
청구항 1에 있어서,
상기 제 2 스페이서들을 형성하는 것은:
상기 2차 마스크 패턴들의 측벽에 절연 스페이서를 형성하는 것; 그리고
상기 절연 스페이서에 식각 공정을 진행하여, 상기 절연 스페이서의 폭을 감소시키는 것을 포함하는 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 형성방법
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7
청구항 1에 있어서,
상기 1차 마스크 패턴, 상기 2차 마스크 패턴, 상기 제 1 스페이서 및 상기 제 2 스페이서는 상기 하드 마스크막 및 상기 미세 마스크 패턴에 대하여 식각선택성을 가지는 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 형성방법
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8
청구항 1에 있어서,
상기 제 1 스페이서의 하부 폭은 상기 제 2 스페이서의 하부 폭과 실질적으로 동일한 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 형성방법
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9
레티클의 정렬 마크와 웨이퍼의 정렬 마크의 정렬을 조정하는 정렬 반사경;
상기 정렬 반사경에 레이저 빔을 방출하는 발광부; 및
상기 정렬 반사경에서 반사된 빔을 수광하여, 상기 레티클과 상기 웨이퍼의 정렬 여부를 감지하는 검출부를 포함하는 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 제조 장치
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10
청구항 9에 있어서,
상기 정렬 반사경, 상기 발광부 및 상기 검출부가 장착되는 광학 테이블을 더 포함하는 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 제조 장치
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11
청구항 9에 있어서,
상기 정렬 반사경에서 반사된 빔을 수용하여, 상기 검출부에 레이저 빔을 출력하는 한 쌍의 확대 반사경을 더 포함하는 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 제조 장치
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12
청구항 11에 있어서,
상기 확대 반사경은 상기 정렬 반사경에서 반사된 빔을 반복적으로 반사시켜, 정렬 오차를 확대하는 광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 제조 장치
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