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고속 고분자 구동기 제작을 위한 고분자막의 표면 전처리 방법

  • 기술번호 : KST2015084338
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속 고분자 구동기 제작을 위한 고분자막의 표면 전처리 방법에 관한 것으로, 해당 고분자막에 대하여 최적의 섀도 마스크 패턴과 플라즈마 처리 시간을 결정하여 표면이 균일하게 되도록 표면 처리함으로써, 고분자막의 표면에 금속 전극을 흡착시킬 때 고분자막의 표면과 금속 전극의 흡착력이 향상되어 고분자막의 팽창과 수축이 쉽게 이루어지므로, 반응속도가 빠르며 고변위를 갖는 고분자 구동기를 제조할 수 있다. 이온성 고분자 금속 복합물, 비등방 플라즈마 처리, 섀도 마스크, 고속
Int. CL H01J 29/06 (2006.01) C08J 7/18 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC C08J 7/18(2013.01)C08J 7/18(2013.01)C08J 7/18(2013.01)C08J 7/18(2013.01)
출원번호/일자 1020080129673 (2008.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1062287-0000 (2011.08.30)
공개번호/일자 10-2010-0070924 (2010.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20110906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최낙진 대한민국 대전 유성구
2 이형근 대한민국 대전광역시 유성구
3 정선경 대한민국 대전광역시 서구
4 박강호 대한민국 대전 유성구
5 김종대 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0872055-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0594163-27
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0083649-51
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0083645-79
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0483966-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자막의 양면에 금속 전극을 포함하는 고분자 구동기의 제조방법에 있어서, 상기 고분자막의 균일한 표면을 얻기 위해 섀도 마스크를 이용한 플라즈마 공정을 통해 상기 고분자막을 표면처리하는 단계를 포함하되, 상기 표면처리 단계는 고분자막의 두께와 그 양면에 형성될 금속 전극의 두께에 따라 플라즈마 처리 시간의 초기값을 설정하는 제1 단계; 상기 설정된 플라즈마 처리 시간에 따라 고분자막의 식각률 및 구동 특성을 시뮬레이션하는 제2 단계; 상기 시뮬레이션을 통해 얻어진 식각률 및 구동력이 실제 식각률 및 실제 구동력과 일치하는지 판단하는 제3 단계; 일치하면 플라즈마 처리 시간으로 결정하고, 일치하지 않으면 초기 설정값을 변경하여 제2 단계 내지 제3단계를 반복하여 최종 플라즈마 처리 시간을 결정하는 제4 단계; 플라즈마 처리 시간 결정 후, 고분자막의 두께와 그 양면에 형성될 금속 전극의 두께에 따라 섀도 마스크의 슬릿 두께와 슬릿 간격의 초기값을 설정하는 제5 단계; 상기 설정된 슬릿 두께와 슬릿 간격에 따라 고분자막의 구동 특성을 시뮬레이션하는 제6 단계; 상기 시뮬레이션을 통해 얻어진 구동력이 실제 구동력과 일치하는지 판단하는 제7 단계; 일치하면 섀도 마스크의 슬릿 두께와 슬릿 간격으로 결정하고, 일치하지 않으면 초기값을 변경하여 제6 단계 내지 제7 단계를 반복하여 섀도 마스크의 슬릿 두께와 슬릿 간격을 결정하는 제8 단계; 상기 결정된 섀도 마스크 패턴과 플라즈마 처리 시간을 통해 고분자막을 표면처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 구동기의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제4 단계를 통해 결정된 플라즈마 처리 시간은 20초 내지 60초인 것을 특징으로 하는 고분자 구동기의 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 제8 단계를 통해 결정된 섀도 마스크 패턴의 슬릿 두께는 200㎛ 이고, 슬릿 간격은 100㎛인 것을 특징으로 하는 고분자 구동기의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 고분자막은 나피온(Nafion™)인 것을 특징으로 하는 고분자 구동기의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 고분자막의 양면에 형성되는 금속 전극은 백금 또는 금인 것을 특징으로 하는 고분자 구동기의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈