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반도체 장치

  • 기술번호 : KST2015084359
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 장치를 제공한다. 이 장치는 실리콘 입자를 포함하는 발광막 및 발광막보다 에너지 밴드의 갭이 큰 발광 보조막을 포함하되, 발광막 및 발광 보조막을 교대로 복수개 적층하는 발광 구조체를 포함한다. 에너지 밴드, 발광막, 발광 구조체
Int. CL H01L 33/08 (2014.01)
CPC H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01)
출원번호/일자 1020080120187 (2008.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0061602 (2010.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허철 대한민국 대전광역시 유성구
2 김경현 대한민국 대전광역시 유성구
3 고현성 대한민국 서울특별시 서초구
4 김봉규 대한민국 대전광역시 유성구
5 김완중 대한민국 경기도 고양시 덕양구
6 성건용 대한민국 대전광역시 유성구
7 박선희 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0825209-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0001182-88
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0153921-41
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0153920-06
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0487273-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 입자를 포함하는 발광막 및 상기 발광막보다 에너지 밴드의 갭이 큰 발광 보조막을 포함하되, 상기 발광막 및 상기 발광 보조막을 교대로 복수개 적층하는 발광 구조체를 포함하는 반도체 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 발광막은 실리콘 질화막을 포함하는 반도체 장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 입자의 직경은 1nm 내지 10nm 인 반도체 장치
4 4
정공 주입층; 상기 정공 주입층 상의 전자 주입층; 및 상기 정공 주입층과 상기 전자 주입층 사이에 개재되는 발광 구조체를 포함하되, 상기 발광 구조체는 상기 정공 주입층에 접촉하는 제 1 발광막, 상기 전자 주입층과 접촉하는 제 2 발광막, 및 상기 제 1 및 제 2 발광막들 사이에 교대로 적층된 발광 보조막과 제 3 발광막을 포함하는 반도체 장치
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 발광막은 실리콘 입자를 포함하는 반도체 장치
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 발광 보조막은 상기 제 1 발광막과 상기 제 3 발광막의 사이 및 상기 제 2 발광막과 상기 제 3 발광막 사이에 개재되는 반도체 장치
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 발광 보조막과 상기 제 3 발광막이 교대로 반복 배치하여 상기 제 3 발광막이 복수개로 배치하는 반도체 장치
8 8
제 4 항에 있어서, 상기 발광 보조막은 상기 제 1 내지 제 3 발광막들 각각의 두께에 비해 얇은 두께를 갖는 반도체 장치
9 9
제 4 항에 있어서, 상기 전자 주입층 상의 투명 전도성 전극; 상기 투명 전도성 전극 상의 상부 전극; 및 상기 정공 주입층 아래의 하부 전극을 더 포함하는 반도체 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.