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초고주파 증폭기 및 그것을 위한 바이어스 회로

  • 기술번호 : KST2015084378
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 고주파 증폭기는, 공핍형 전계효과 트랜지스터를 통해 고주파 신호를 증폭하는 증폭회로, 입력된 고주파 신호를 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터에 정합시키는 입력 정합회로, 상기 증폭된 신호를 정합하여 출력하는 출력 정합회로, 그리고 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 소오스로 양의 전압을 인가하여 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트-소오스간 전압이 음의 값을 가지도록 바이어싱하는 바이어스 회로를 포함한다. 증폭기, 공핍형 FET, 바이어스
Int. CL H03F 1/30 (2006.01) H03F 3/189 (2006.01)
CPC H03F 3/193(2013.01) H03F 3/193(2013.01) H03F 3/193(2013.01) H03F 3/193(2013.01) H03F 3/193(2013.01)
출원번호/일자 1020080118553 (2008.11.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1094359-0000 (2011.12.08)
공개번호/일자 10-2010-0060107 (2010.06.07) 문서열기
공고번호/일자 (20111215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장우진 대한민국 대전광역시 서구
2 문재경 대한민국 대전광역시 유성구
3 지홍구 대한민국 대전광역시 유성구
4 안호균 대한민국 대전광역시 유성구
5 임종원 대한민국 대전광역시 유성구
6 강동민 대한민국 대전광역시 유성구
7 김동영 대한민국 대전광역시 유성구
8 이상흥 대한민국 대전광역시 서구
9 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
10 남은수 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 알에프에이치아이씨 주식회사 경기도 안양시 동안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0817704-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0549939-06
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0018195-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0018197-13
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0414262-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0662708-27
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0662707-82
9 등록결정서
Decision to grant
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0702057-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공핍형 전계효과 트랜지스터를 통해 고주파 신호를 증폭하는 증폭회로; 입력된 고주파 신호를 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터에 정합시키는 입력 정합회로; 상기 증폭된 신호를 정합하여 출력하는 출력 정합회로; 그리고 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 소오스로 양의 전압을 인가하여 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트-소오스간 전압이 음의 값을 가지도록 바이어싱하는 바이어스 회로를 포함하며, 상기 바이어스 회로는, 상기 소오스로 인가되는 상기 양의 전압을 변화시켜 상기 게이트-소오스간 전압을 튜닝하는 고주파 증폭기
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삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 바이어스 회로는, 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트로 접지 전압을 인가하고, 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 소오스로 양의 레벨을 갖는 제 1 외부전압을 인가하여 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트-소오스간 전압이 음의 값을 가지도록 바이어싱하는 제 1 바이어스 회로; 그리고 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 드레인으로 양의 레벨을 갖는 제 2 외부전압을 인가하여 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 드레인-소오스간 전압이 양의 값을 가지도록 바이어싱하는 제 2 바이어스 회로를 포함하는 고주파 증폭기
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 1 바이어스 회로는, 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트와 접지 사이에 접속된 제 1 인덕터; 일단이 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 소오스에 접속되고, 타단이 상기 제 1 외부 전압 사이에 접속된 제 2 인덕터; 그리고 상기 제 2 인덕터의 상기 타단과 상기 접지 사이에 접속된 제 1 커패시터를 포함하는 고주파 증폭기
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 인덕터는, 직류 전압 측면에서는 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트로 0V를 인가하고, 고주파 신호 측면에서는 상기 입력된 고주파 신호가 상기 접지로 빠져나가는 것을 방지하는 고주파 증폭기
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 제 2 인덕터는, 직류 전압 측면에서는 공핍형 전계효과 트랜지스터의 소오스에 상기 제 1 외부 전압을 인가하고, 고주파 신호 측면에서는 상기 입력된 고주파 신호의 손실을 막고 안정도를 향상시키는 고주파 증폭기
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 커패시터는 직류 전압 측면에서는 개방 상태에 있고 고주파 신호 측면에서는 단락 상태에 있는 고주파 증폭기
8 8
제 3 항에 있어서, 상기 제 2 바이어스 회로는, 일단이 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 타단이 상기 제 2 외부 전압 사이에 접속된 제 3 인덕터; 그리고 상기 제 3 인덕터의 상기 타단과 상기 접지 사이에 접속된 제 2 커패시터를 포함하는 고주파 증폭기
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 제 3 인덕터는, 직류 전압 측면에서는 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 드레인에 상기 제 2 외부 전압을 제공하고, 고주파 신호 측면에서는 상기 증폭된 신호를 상기 출력 정합회로 쪽으로만 유입시키는 고주파 증폭기
10 10
공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트로 접지 전압을 인가하고, 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 소오스로 양의 레벨을 갖는 제 1 외부전압을 인가하여 게이트-소오스간 전압이 음의 값을 가지도록 바이어싱하는 제 1 바이어스 회로; 그리고 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 드레인으로 양의 레벨을 갖는 제 2 외부전압을 인가하여 드레인-소오스간 전압이 양의 값을 가지도록 바이어싱하는 제 2 바이어스 회로를 포함하며, 상기 제 1 바이어스 회로는, 상기 소오스로 인가되는 상기 양의 레벨을 갖는 상기 제 1 외부전압을 변화시켜 상기 게이트-소오스간 전압을 튜닝하는 고주파 증폭기를 위한 바이어스 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.