| 1 |
1
기판 상에 유기물 패턴들을 형성하는 단계;
상기 유기물 패턴들 사이에 금속 패턴들을 형성하는 단계;
상기 유기물 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계;
상기 금속 패턴들 사이에 산화아연 패턴들을 형성하는 단계; 및
상기 금속 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 금속 패턴들을 형성하는 단계는:
상기 기판 상에 상기 유기물 패턴들보다 낮은 높이의 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 금속 패턴들을 형성하는 단계는:
상기 기판 상에 상기 유기물 패턴들보다 낮은 높이의 알루미늄막을 형성하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 금속 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계는:
상기 금속 패턴들을 리프트 오프시키는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
| 5 |
5
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 금속 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계는:
상기 기판을 수산화나트륨 수용액에 딥핑하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,
상기 금속 패턴들 사이에 상기 산화아연 패턴들을 형성하는 단계는:
상기 금속 패턴들 사이에 산화아연 시드층을 형성하도록 상기 기판을 시드 용액에 담그는 단계; 및
상기 산화아연 시드층으로부터 산화아연층이 형성되도록 상기 기판을 전구체 용액에 담그는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,
상기 유기물 패턴들을 형성하는 단계는:
상기 기판 상에 유기물질막을 형성하는 단계;
상기 유기물질막 상에 식각 마스크를 형성하는 단계; 및
상기 식각 마스크에 의해 노출된 상기 유기물질막을 식각하여 상기 식각 마스크보다 좁은 폭을 갖는 상기 유기물 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,
상기 식각 마스크를 형성하는 단계는 나노 임프린트 공정을 수행하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,
상기 유기물 패턴들을 형성하는 단계는:
상기 기판 상에 유기물질막을 형성하는 단계; 및
상기 유기물질막에 대해 전자빔 리소그래피를 수행하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,
상기 유기물 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계는:
상기 유기물 패턴들을 리프트 오프(lift-off) 시키는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법
|
