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아연, 인듐 및 주석을 포함하는 산화물을 포함하며,
상기 아연, 인듐 및 주석의 합에 대한 아연의 원자비가 0
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제1항에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟의 이론 상대 밀도가 90% 이상인 것을 특징으로 하는
스퍼터링 타겟
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기판, 그리고
상기 기판 위에 아연, 인듐 및 주석을 포함하는 산화물로 이루어지며, 상기 아연, 인듐 및 주석의 합에 대한 아연의 원자비가 0
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제3항에 있어서,
상기 금속산화막은
상기 기판 상에 아연산화물과 인듐주석산화물이 동시에 스퍼터링되어 형성되는
투명 필름
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제4항에 있어서,
상기 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트를 포함하는 투명 플라스틱인
투명 필름
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기판 상에 아연 산화물 및 인듐주석 산화물을 동시에 스퍼터링하여 아연인듐주석 산화물 박막을 형성하는 단계, 그리고
상기 박막을 열처리하여 결정화함으로써 투명 도전막을 형성하는 단계
를 포함하는
투명 필름의 제조 방법
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7
제6항에 있어서,
상기 박막을 형성하는 단계는
아연, 인듐 및 주석의 합에 대한 아연의 원자비가 0
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8
제9항에 있어서,
상기 투명 도전막을 형성하는 단계는
상기 아연인듐주석 산화물 박막을 150℃이하에서 30분 내지 10시간 열처리하여 결정화하는
투명 필름의 제조 방법
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제8항에 있어서,
상기 결정화된 투명 도전막을 패터닝하여 투명터치필름을 형성하는 단계를 더 포함하는
투명 필름의 제조 방법
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