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대면적 가스 센서 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015084491
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대면적 가스 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 가스 센서는 연성 기판; 연성 기판 상에 형성된 이중 완충층; 이중 완충층 상에 패턴화되어 형성된 탐침부를 포함하는 금속 전극; 탐침부가 제외된 금속 전극 상에 형성된 산화물 감지층을 포함하며, 그의 제조방법은 연성 기판 상에 이중 완충층을 증착하는 단계; 이중 완층층 상에 금속을 증착한 후 패터닝하여 탐침부를 포함하는 금속 전극을 형성하는 단계; 탐침부를 감광제로 도포하고, 금속 전극 상에 산화물 감지층을 형성하는 단계; 감광제를 제거하는 단계; 및 산화물 감지층을 열처리하는 단계를 포함한다.가스 센서, 연성 기판, 대면적, 산화물, 감지, 플라스틱
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) B28Y 15/00 (2011.01) G01N 27/16 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020080123884 (2008.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1169394-0000 (2012.07.23)
공개번호/일자 10-2010-0065518 (2010.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문제현 대한민국 대전광역시 유성구
2 박진아 대한민국 경상남도 창원시 마산합포구
3 이수재 대한민국 대전광역시 유성구
4 정태형 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0843192-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0000754-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0030973-55
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0198337-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0198340-12
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0552007-85
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0931659-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0931663-04
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0226029-11
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.05.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0023979-47
13 등록결정서
Decision to grant
2012.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0405141-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
연성 기판;상기 연성 기판 상에 형성된 이중 완충층;상기 이중 완충층 상에 패턴화되어 형성된 탐침부를 포함하는 금속 전극; 상기 탐침부가 제외된 금속 전극 상에 형성된 산화물 감지층을 포함하고,여기서 상기 이중 완충층은 연성 기판 상에 차례로 형성된 비정질 실리콘층 및 무기 절연막층을 포함하는 것인 가스 센서
2 2
제 1항에 있어서,상기 연성 기판으로는 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리에테르설폰 및 폴리카보네이트로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 가스 센서
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 무기 절연막층은 Al2O3, MgO, SrTiO 및 SiO2로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 것인 가스 센서
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 산화물 감지층은 박막, 나노다공체 또는 나노섬유 형태인 가스 센서
7 7
연성 기판 상에 이중 완충층을 증착하는 단계;상기 이중 완층층 상에 금속을 증착한 후 패터닝하여 탐침부를 포함하는 금속 전극을 형성하는 단계;상기 탐침부를 감광제로 도포하고, 금속 전극 상에 산화물 감지층을 형성하는 단계;상기 감광제를 제거하는 단계; 및상기 산화물 감지층을 열처리하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 이중 완충층 형성 단계는 상온에서 스퍼터링으로 증착되는 것인 가스 센서의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서,상기 이중 완충층 형성 단계는 i) 연성 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계 및 ii) 비정질 실리콘층 상에 무기 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법
10 10
제 7항에 있어서,상기 산화물 감지층은 산화물 감지 물질을 원자층 증착법으로 형성하고, 상기 산화물 감지층은 레이저 노광에 의해 열처리되는 것인 가스 센서의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 레이저로는 ArF (파장=193 nm), KrF (파장=248 nm), XeBr (파장=282 nm) 및 XeCl (파장= 308 nm)로 이루어진 군에서 선택되는 것인 가스 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.