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소이(SOI: Silicon-On-Insulator) 기판 상의 제 1 반도체 칩;
상기 소이 기판 상의, 상기 제 1 반도체 칩으로부터 다중 전기 신호를 입력받아 다중 광신호를 출력하는 광방출기;
상기 소이 기판 상의, 상기 다중 광신호를 감지하여 다중 전기 신호로 변환하는 광검출기; 및
상기 소이 기판 상의, 상기 광검출기에 의해 변환된 다중 전기 신호를 입력받는 제 2 반도체 칩을 포함하는 고속 광배선 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 소이(SOI) 기판은
상기 제 1 반도체 칩 및 상기 광방출기가 배치되는 제 1 소이 기판; 및
상기 제 2 반도체 칩 및 상기 광검출기가 배치되는 제 2 소이 기판을 포함하되,
상기 제 1 소이 기판과 상기 제 2 소이 기판은 이격되어 배치되는 고속 광배선 소자
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청구항 2에 있어서,
상기 제 1 소이 기판과 상기 제 2 소이 기판이 배치되는 회로 기판을 더 포함하는 고속 광배선 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 광방출기는 상기 소이 기판 상의 중간층 및 상기 중간층 상의 3족-5족 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 중간층의 격자상수는 상기 소이 기판의 소이층의 격자상수보다 크고 상기 3족-5족 화합물 반도체층의 격자상수보다 작은 광배선 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 중간층은 실리콘-게르마늄층인 고속 광배선 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 광방출기로부터 상기 광검출기로 상기 다중 광신호를 전달하는 다중 채널 파이버를 더 포함하는 고속 광배선 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 제 1 반도체 칩은 실리콘-게르마늄 바이폴라 트랜지스터 또는 실리콘 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 고속 광배선 소자
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청구항 7에 있어서,
상기 광방출기는 발광 다이오드를 포함하는 고속 광배선 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 광방출기 상에 배치된 홀로그램 광기판; 및
상기 홀로그램 광기판 상에 배치된 거울판을 더 포함하는 고속 광배선 소자
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청구항 7에 있어서,
상기 홀로그램 광기판은 상기 광방출기로부터 출력된 다중 광신호를 이용하여 홀로그램을 생성하는 홀로그램 트랜스미터를 포함하는 고속 광배선 소자
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11
청구항 1에 있어서,
상기 광검출기는 실리콘-게르마늄 핀(PIN: Positive Intrinsic Negative) 포토 다이오드, 실리콘-게르마늄 포토 다이오드, 실리콘 포토 다이오드 또는 게르마늄 포토 다이오드 중 어느 하나를 포함하는 고속 광배선 소자
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