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에피 기판을 제공하고;
상기 에피 기판 상에 소오스 및 드레인을 형성하고;
상기 에피 기판을 건식법 및 습식법을 포함하는 게이트 리세스 에칭하여 리세스 영역을 형성하고; 그리고
상기 리세스 영역에 게이트를 형성하는 것을;
포함하는 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 에피 기판을 제공하는 것은:
반절연성 갈륨비소(GaAs) 기판을 제공하고;
상기 반절연성 기판 상에 버퍼층을 형성하고;
상기 버퍼층 상에 활성화층을 형성하고; 그리고
상기 활성화층을 메사 에칭하는 것을;
포함하는 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 버퍼층을 제공하는 것은:
상기 반절연성 기판 상에 비도핑된 갈륨비소(undoped GaAs)를 포함하는 제1 버퍼층을 형성하고; 그리고
상기 제1 버퍼층 상에 초격자 구조의 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)/갈륨비소(GaAs)를 포함하는 제2 버퍼층을 형성하는 것을;
포함하는 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 활성화층을 형성하는 것은:
상기 버퍼층 상에 제1 밴드갭을 갖는 비도핑된 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)를 포함하는 전자공급층을 형성하고;
상기 전자공급층 상에 제1 도핑 농도의 하부 실리콘 면도핑층, 하부 스페이서, 상기 제1 밴드갭에 비해 좁은 제2 밴드갭을 갖는 비도핑된 인듐갈륨비소(InGaAs), 상부 스페이서 및 상기 제1 도핑 농도에 비해 작은 제2 도핑 농도의 상부 실리콘 면도핑층이 순차 적층된 전자주행층을 형성하고;
상기 전자주행층 상에 도핑된 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)를 포함하는 쇼트키층을 형성하고; 그리고
상기 쇼트키층 상에 비도핑된 갈륨비소(GaAs)를 포함하는 캡층을 형성하는 것을;
포함하는 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 제조방법
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제4항에 있어서,
상기 소오스 및 드레인을 형성하는 것은:
상기 캡층 상에 금게르마늄(AuGe)/니켈(Ni)/금(Au)을 포함하는 소오스/드레인 금속막을 증착하고; 그리고
상기 소오스/드레인 금속막을 급속열처리(RTA)하여 상기 캡층과 오믹 접촉시키는 것을:
포함하는 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 제조방법
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제4항에 있어서,
상기 리세스 영역을 형성하는 것은:
상기 캡층의 일부를 노출시켜 게이트 영역을 한정하는 실리콘질화막을 포함하는 보호막을 형성하고;
상기 게이트 영역을 통해 노출된 상기 캡층을 상기 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)에 대해 상기 갈륨비소(GaAs)를 선택적으로 에칭할 수 있는 건식 에칭으로써 에칭하여 상기 쇼트키층을 노출시키고; 그리고
상기 노출된 쇼트키층을 습식 에칭으로써 에칭하는 것을;
포함하는 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 제조방법
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7
제6항에 있어서,
상기 쇼트키층을 습식 에칭하는 것은:
인산(H3PO4)과 과산화수소(H2O2)를 포함하는 에천트를 이용하여 상기 전자주행층 상에 형성된 상기 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)를 에칭하되, 포화전류를 측정하면서 포화전류값이 목표값에 도달할 때까지 상기 습식 에칭을 진행하는 것을;
포함하는 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 제조방법
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제4항에 있어서,
상기 게이트를 형성하는 것은:
상기 리세스 영역에 타이타늄(Ti)/백금(Pt)/금(Au)을 포함하는 게이트 금속막을 증착하고; 그리고
상기 게이트 금속막을 리프트-오프시켜 상기 쇼트키층과 쇼트키 접촉시키는 것을:
포함하는 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 제조방법
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제1항의 방법으로 제조된 복수개의 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자와;
상기 복수개의 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 복수개의 게이트와 전기적으로 연결된 게이트 패드와;
상기 복수개의 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 복수개의 소오스와 전기적으로 연결된 소오스 패드와;
상기 복수개의 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 복수개의 드레인과 전기적으로 연결된 드레인 패드와; 그리고
상기 게이트 및 드레인 패드와 병렬 연결되고, 커패시터와 레지스터가 직렬 연결된 네가티브 피드백 회로를;
포함하는 파워 앰프
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제9항에 있어서,
상기 커패시터는 금속-절연체-금속(MIM) 커패시터를 포함하고, 상기 레지스터는 니켈크롬(NiCr) 박막 레지스터를 포함하는 파워 앰프
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