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광전도 안테나에 실리콘 볼렌즈가 일체화된 테라헤르츠파 송수신 모듈 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015084764
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광전도 안테나에 실리콘 볼렌즈가 일체화된 테라헤르츠파 송수신 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 볼렌즈를 광전도 안테나에 일체화시키고, 실리콘 볼렌즈와 일체화된 광전도 안테나에 집속 렌즈를 정렬시켜 하나의 완전하고 독립된 테라헤르츠파 송수신 모듈을 구현함으로써, 간단한 구조에 의해 테라헤르츠파를 안정적으로 발생시키거나 측정할 수 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따르면 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 단순화 및 소형화를 도모할 수 있다.테라헤르츠파, 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈, 정렬
Int. CL H04B 10/11 (2013.01) H04B 10/40 (2013.01) G02B 27/30 (2013.01)
CPC G01N 21/01(2013.01) G01N 21/01(2013.01) G01N 21/01(2013.01)
출원번호/일자 1020080131590 (2008.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1191385-0000 (2012.10.09)
공개번호/일자 10-2010-0073015 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20121015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.22)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최상국 대한민국 대전광역시 서구
2 강광용 대한민국 대전광역시 유성구
3 백문철 대한민국 대전광역시 유성구
4 곽민환 대한민국 대전광역시 유성구
5 강승범 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0880833-91
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0141603-93
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0361583-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0361561-10
6 등록결정서
Decision to grant
2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0571811-02
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
테라헤르츠파 송수신 모듈로서,실리콘 볼렌즈가 일체화된 광전도 안테나에 펨토초 레이저 펄스를 집속시키기 위한 집속 렌즈가 정렬되어 이루어지고,상기 실리콘 볼렌즈가 일체화된 광전도 안테나는,기판 하부에 실리콘 옥사이드막을 소정 두께로 성장시킨 후, 상기 실리콘 옥사이드막을 사이에 두고 상기 기판과 상기 실리콘 웨이퍼를 아노딕 본딩(Anodic Bonding)으로 접합하는 단계;상기 기판 상에 다수의 광전도 안테나를 어레이 정렬 구조로 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 형성된 전체 구조물을 소정 크기로 절단하고, 절단된 측면을 연마하여 실리콘 볼렌즈를 형성하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 광전도 안테나는, 중앙 돌출 부위를 갖는 금속 평행 전송선로와, 상기 금속 평행 전송선로의 양단에 형성된 전극 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈
4 4
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 볼렌즈는 5mm 내지 25mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈
5 5
(a) 기판 하부에 실리콘 옥사이드막을 소정 두께로 성장시킨 후, 상기 실리콘 옥사이드막을 사이에 두고 상기 기판과 상기 실리콘 웨이퍼를 아노딕 본딩(Anodic Bonding)으로 접합하는 단계;(b) 상기 기판 상에 다수의 광전도 안테나를 어레이 정렬 구조로 형성하는 단계;(c) 소정 크기의 실리콘 웨이퍼상에 하나의 광전도 안테나가 위치하도록 상기 (b) 단계를 통해 얻어진 전체 구조물을 소정 크기로 절단하는 단계;(d) 상기 소정 크기로 절단된 실리콘 웨이퍼의 측면을 연마하여 반구형의 실리콘 볼렌즈를 형성하는 단계; 및(e) 상기 광전도 안테나에 외부 소자와의 전기적 연결을 위한 신호선을 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 실리콘 옥사이드막은 0
7 7
제 5항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 5mm 내지 30mm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 제조 방법
8 8
제 5항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 기판 상에 광전도성 박막을 증착한 후 상기 광전도성 박막을 패터닝하여 다수의 광전도 안테나를 어레이 정렬 구조로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 광전도성 박막을 패터닝할 때, 중앙 돌출 부위를 갖는 금속 평행 전송선로와 상기 금속 평행 전송선로의 양단에 전극 패드가 형성된 형태로 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 제조 방법
10 10
제 5항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,소정 크기의 실리콘 웨이퍼상에 하나의 광전도 안테나가 위치하도록 상기 (b) 단계를 통해 얻어진 전체 구조물을 소정 크기로 블록화한 후, 소잉 공정을 통해 블록화된 크기로 절단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 제조 방법
11 11
제 5항에 있어서, 상기 (b) 단계 이후 및 상기 (c) 단계 이전에,상기 광전도 안테나의 상부에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 (e) 단계에서,상기 보호막을 제거한 후 상기 광전도 안테나에 외부 소자와의 전기적 연결을 위한 신호선을 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 제조 방법
13 13
제 5항에 있어서, 상기 (e) 단계 이후에,상기 실리콘 볼렌즈가 일체화된 광전도 안테나에 펨토초 레이저 펄스를 집속시키기 위한 집속 렌즈를 정렬시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 THz파 발진 변환 검출기 및 신호원