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절연기판;상기 절연기판 상부에 형성된 금속 전극; 및상기 금속 전극 상부에 형성된, 특정 가스에 고감응성을 갖는 나노크기의 금속산화물 입자가 도포된 금속 산화물 반도체 나노섬유층을 포함하는 초고감도 가스센서
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제 1항에 있어서,상기 절연기판으로는 산화물 단결정 기판, 세라믹 기판, 절연층이 상부에 형성된 실리콘 기판 및 유리기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 초고감도 가스센서
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제 1항에 있어서,상기 금속전극으로는 Pt, Pd, Ag, Au, Ni, Ti, Cr, Al, Cu, Sn, Mo, Ru 및 In으로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 초고감도 가스센서
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제 1항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체 나노섬유층을 구성하는 금속 산화물은 ABO3형 페로브스카이트 산화물(BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3), ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되며, 나노섬유층을 구성하는 각각의 나노섬유는 1 내지 100㎚의 직경을 갖는 것인 초고감도 가스센서
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제 1항에 있어서,상기 나노크기의 금속산화물 입자는 ABO3형 페로브스카이트 산화물(BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3), ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 것인 초고감도 가스센서
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절연기판 상에 금속전극을 형성하는 단계;상기 금속전극 상에, 금속산화물, 폴리머 물질 및 용매가 혼합된 복합용액을 전기방사법으로 방사하여 산화물/폴리머 복합 나노섬유층을 형성하는 단계;상기 복합 나노섬유층을 1차 열처리하여 용매를 제거하는 단계;용매가 제거된 상기 복합 나노섬유층을 2차 고온 열처리하여 산화물 반도체 나노섬유층을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체 나노섬유층 표면에 특정 가스에 고감응성을 갖는 나노크기의 금속산화물 입자를 도포하는 단계; 및상기 나노입자가 도포된 산화물 반도체 나노섬유층을 3차 고온 열처리하는 단계를 포함하는 초고감도 가스센서의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체 나노섬유층을 구성하는 금속 산화물은 ABO3형 페로브스카이트 산화물(BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3), ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4, 및 Al2O3 전구체로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되고,상기 폴리머로는 폴리비닐페놀(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리비닐아세트산(PVAc), 폴리스티렌(PS), 폴리에틸렌옥사이드(PEO), 폴리에테르 우레탄(PU), 폴리카보네이트(PC), 폴리-L-락타이드(PLLA), 폴리비닐카바졸(PVC), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리카프로락탐, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되고, 상기 용매로는 에탄올, 아세톤, 디메틸포름아미드(DMF), 테트라히드로퓨란(THF), 이소프로필 알코올(IPA), 물, 클로로포름, 포름산, 디에틸포름아미드(DEF), 디메틸아세트아미드(DMA), 디클로로메탄, 톨루엔, 및 아세트산으로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 것인 초고감도 가스센서의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 1차 열처리는 폴리머 물질의 유리전이온도 부근에서 진행되고, 2차 열처리는 300 내지 800℃에서 진행되고, 3차 열처리는 300 내지 600℃의 온도에서 진행되는 것인 초고감도 가스센서의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 나노크기의 금속산화물 입자는 물리적 또는 화학적 증착수단을 통해 산화물 반도체 나노섬유층 표면에 박막형태로 도포되는 것인 초고감도 가스센서의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 나노크기의 금속산화물 입자는 ABO3형 페로브스카이트 산화물(BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3), ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 것인 초고감도 가스센서의 제조방법
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