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반도체 제조용 횡형 확산로

  • 기술번호 : KST2015084852
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼 기판의 적재가 용이할 뿐만 아니라 초기 열산화 공정 시 발생될 수 있는 자연 산화막 발생을 최대한 억제할 수 있고, 반응 가스의 균일할 확산을 유도하여 균일한 두께의 산화막을 발생시킬 수 있는 반도체 제조용 횡형 확산로에 관한 것으로서, 상기 횡형 확산로는, 상하로 개폐가능하며 그 내부에 다수의 실리콘 웨이퍼 기판이 적재되는 적재 수단과, 상기 적재 수단을 수평 방향으로 이동시켜 상기 반응실 내부로 이동시키는 운반 수단과, 상기 운반 수단에 의해 적재 수단이 반응실 내부로 이동되는 동안 상기 적재 수단의 내부로 질소 가스를 주입하는 질소 가스 주입 수단을 포함하여 이루어진다. 반도체 제조, 열산화, 열확산, 확산로,
Int. CL H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/67098(2013.01) H01L 21/67098(2013.01) H01L 21/67098(2013.01)
출원번호/일자 1020080122215 (2008.12.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1087136-0000 (2011.11.21)
공개번호/일자 10-2010-0063867 (2010.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20111125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유성욱 대한민국 대구광역시 수성구
2 박건식 대한민국 대전광역시 유성구
3 박종문 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤용선 대한민국 대전광역시 유성구
5 김상기 대한민국 대전광역시 유성구
6 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
7 김보우 대한민국 대전광역시 유성구
8 강진영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0835501-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0004908-50
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0070692-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0254701-05
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0254700-59
8 등록결정서
Decision to grant
2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0521884-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 가스 주입구를 포함하며, 상기 반응 가스 주입구를 통해 주입된 반응 가스에 의해 실리콘 웨이퍼 기판에 대한 열산화 또는 열확산 공정이 이루어지는 반응실; 상기 반응실의 내부를 가열하는 가열 수단; 수직방향으로 개폐가능하며 그 내부에 다수의 실리콘 웨이퍼 기판이 적재되는 적재 수단; 상기 적재 수단을 수평 방향으로 이동시켜 상기 반응실 내부로 이동시키는 운반 수단; 및 상기 운반 수단에 의해 적재 수단이 반응실 내부로 이동되는 동안 상기 적재 수단의 내부로 질소 가스를 주입하는 질소 가스 주입 수단을 포함하며, 상기 적재수단은 상기 운반 수단에 연결된 상부 및 하부 캔틸레버와, 상기 상부 및 하부 캔틸레버에 고정되며, 그 내부에 실리콘 웨이퍼 기판이 적재되는 상부 및 하부 보트를 포함하여 이루어지고, 상기 상부 캔틸레버 또는 하부 캔틸레버 또는 상부 및 하부 캔틸레버가 수직 방향으로 이동함에 의해 상기 상부 보트 및 하부 보트가 개폐되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 횡형 확산로
2 2
제1항에 있어서, 상기 적재 수단은 상기 반응실 내부에서 주입되는 반응 가스가 균일하게 흐르도록 가스 흐름을 조절하는 가스 조절 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 횡형 확산로
3 3
제2항에 있어서, 상기 가스 조절 수단은 상기 적재수단의 외부에서 내부로 관통하도록 상기 적재수단의 표면에 균일하게 형성되어, 상기 반응실에서 투입된 반응 가스가 적재수단 내부로 균일하게 투입되도록 유도하는 다수의 가스 유출공을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 횡형 확산로
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 상부 및 하부 보트는 각각 내부가 비어있으며, 상기 상부 또는 하부 캔틸레버의 상하 이동에 의해 닫히는 경우 서로 맞물려 원통형을 이루는 반원통형의 케이스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 횡형 확산로
6 6
제1항에 있어서, 상기 상부 및 하부 보트와 상부 및 하부 캔틸레버는 석영 또는 실리콘카바이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 횡형 확산로
7 7
제1항에 있어서, 상기 질소 가스 주입 수단은 상기 상부 및 하부 캔틸레버와 평행하게 상기 상부 및 하부 보트의 내부로 연결되어, 상기 상부 및 하부 보트의 내부로 질소 가스를 주입하는 상부 및 하부 질소가스 주입관을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 횡형 확산로
8 8
제7항에 있어서, 상기 상부 및 하부 질소가스 주입관은, 석영 또는 실리콘카바이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 횡형 확산로
9 9
제1항에 있어서, 상기 반응실은, 전,후방으로 개방되어 있는 원통형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 횡형 확산로
10 10
제9항에 있어서, 상기 반응실은, 내측에 석영관 또는 실리콘카바이드관을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 횡형 확산로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.