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금속-절연체 전이(ＭＩＴ) 소자의 자체발열 방지회로 및 그방지회로용 집적소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015084979
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MIT 소자의 자체발열 문제를 해결할 수 있는 금속-절연체 전이(MIT) 소자의 자체발열 방지회로 및 그 방지회로용 집적소자의 제조방법을 제공한다. 그 자체발열 방지회로는 소정 임계온도 이상에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하고, 전류구동 소자에 연결되어 전류 흐름을 제어하는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 연결되어 상기 MIT 이후에 상기 MIT 소자의 자체발열을 제어하는 트랜지스터; 및 상기 MIT 소자 및 상기 트랜지스터에 연결된 저항 소자;를 포함한다.금속-절연체-전이(Metal-Insulator-Transition: MIT), MIT 소자, 자체발열
Int. CL G05F 3/24 (2006.01) H01L 29/73 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090002732 (2009.01.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1213471-0000 (2012.12.12)
공개번호/일자 10-2009-0091648 (2009.08.28) 문서열기
공고번호/일자 (20121218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080091265   |   2008.09.17
대한민국  |   1020080016935   |   2008.02.25
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현탁 대한민국 대전광역시 유성구
2 김봉준 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤선진 대한민국 대전광역시 유성구
4 김대용 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0021395-69
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0127163-76
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0351002-31
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0351001-96
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0522813-55
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.09.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0045555-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0664375-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정 임계온도 이상에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하고, 전류구동 소자에 연결되어 전류 흐름을 제어하는 MIT 소자;상기 MIT 소자에 연결되어 상기 MIT 이후에 상기 MIT 소자의 자체발열을 제어하는 트랜지스터; 및상기 MIT 소자 및 상기 트랜지스터에 연결된 저항 소자;를 포함하는 MIT 소자 자체발열 방지회로
2 2
제1 항에 있어서,상기 트랜지스터는 바이폴라(bi-polar) 트랜지스터이고,상기 MIT 소자는 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 컬렉터 전극 사이에 연결되며,상기 저항 소자는 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 에미터 전극 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 MIT 소자 자체발열 방지회로
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4 4
제1 항에 있어서,상기 트랜지스터는 MOS(Metal-Oxide-Semicondutor) 트랜지스터이고,상기 MIT 소자는 상기 MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 전극 사이에 연결되며,상기 저항 소자는 상기 MOS 트랜지스터의 게이트와 소오스 전극 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 MIT 소자 자체발열 방지회로
5 5
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6 6
제1 항에 있어서,상기 MIT 소자, 트랜지스터 및 저항 소자가 하나의 칩으로 집적되어 패키지화된 것을 특징으로 하는 MIT 소자 자체발열 방지회로
7 7
제6 항에 있어서,하나의 집적된 상기 MIT 소자 자체발열 방지회로는,기판; 상기 기판 상의 중앙부로 형성된 트랜지스터;상기 트랜지스터 일 측면으로 상기 기판 상으로 형성된 상기 MIT 소자; 및상기 트랜지스터 타 측면으로 상기 기판 상으로 형성된 상기 저항 소자;를 포함하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 MIT 소자 자체발열 방지회로
8 8
제7 항에 있어서,상기 MIT 소자는 상기 기판 상의 절연막 상에 형성된 MIT 박막, 및 상기 MIT 박막 양 측면으로 상기 절연막 상에 형성된 적어도 2개의 MIT 전극을 포함하고,상기 저항 소자는 상기 기판 상의 절연막 상에 형성된 저항 박막, 및 상기 저항 박막 양 측면으로 상기 절연막 상에 형성된 2개의 저항 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 MIT 소자 자체발열 방지회로
9 9
제7 항에 있어서,상기 트랜지스터는 바이폴라 트랜지스터 또는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 MIT 소자 자체발열 방지회로
10 10
제9 항에 있어서,상기 트랜지스터가 바이폴라 트랜지스터인 경우,상기 MIT 소자는 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 컬렉터 전극 사이에 연결되고, 상기 저항 소자는 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 에미터 전극 사이에 연결되고, 상기 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 전극으로 상기 전류구동 소자가 연결되고, 상기 에미터 전극으로 그라운드가 연결되며,상기 트랜지스터가 MOS 트랜지스터인 경우,상기 MIT 소자는 상기 MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 전극 사이에 연결되고, 상기 저항 소자는 상기 MOS 트랜지스터의 게이트와 소오스 전극 사이에 연결되며, 상기 MOS 트랜지스터의 드레인 전극으로 상기 전류구동 소자가 연결되며, 상기 소오스 전극으로 그라운드가 연결되는 것을 특징으로 하는 MIT 소자 자체발열 방지회로
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소정 임계온도 이상에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 소자; 및상기 MIT 소자에 병렬로 연결된 전류 구동 소자;를 포함하고,상기 MIT 소자가 전류 구동 소자로 인가되는 전류를 조절하며,상기 MIT 소자의 자체 발열을 방지하기 위한 트랜지스터를 더 포함하고,상기 MIT 소자는 상기 트랜지스터의 베이스와 컬렉터 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 전류 제어회로
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24 24
소정 임계온도 이상에서 급격한 금속-절연체 전이(MIT)를 일으키는 MIT 소자 및 상기 MIT 소자에 연결되어 상기 MIT 이후에 상기 MIT 소자의 자체발열을 제어하는 제어 트랜지스터를 구비한 MIT-트랜지스터; 및구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력을 공급 및 제어하는 적어도 1개의 전력 트랜지스터(power transistor);를 포함하고,상기 MIT-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 전력 트랜지스터의 베이스나 게이트, 또는 컬렉터나 드레인에 연결되어,상기 전력 트랜지스터의 온도 상승 시, 상기 MIT-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 전력 트랜지스터의 발열을 방지하는 전력 트랜지스터 발열 제어회로
25 25
제24 항에 있어서,상기 제어 트랜지스터는, 베이스 또는 게이트가 상기 MIT 소자를 통해 상기 전력 트랜지스터의 베이스 또는 게이트에 연결되고, 에미터 또는 소오스가 상기 전력 트랜지스터의 에미터 또는 소오스에 연결되며, 컬렉터 또는 드레인이 상기 전력 트랜지스터의 컬렉터 또는 드레인에 연결되며,상기 전력 트랜지스터가 온(On) 상태로 상기 구동 소자로 전류를 공급 중에, 상기 전력 트랜지스터의 온도가 상승할 때, 상기 MIT-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단하고, 상기 제어 트랜지스터를 통해 전류를 흐르게 함으로써, 상기 전력 트랜지스터의 발열을 방지하는 전력 트랜지스터 발열 제어회로
26 26
제25 항에 있어서,적어도 2개의 상기 MIT-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터에 병렬로 연결되며,각각의 상기 제어 트랜지스터가 상기 MIT 소자와 상기 전력 트랜지스터에 동일 연결관계를 가지고 연결된 것을 특징으로 하는 전력 트랜지스터 발열 제어회로
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3 EP02248169 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05539234 JP 일본 FAMILY
5 JP05740429 JP 일본 FAMILY
6 JP23524626 JP 일본 FAMILY
7 JP25179310 JP 일본 FAMILY
8 KR1020090091642 KR 대한민국 FAMILY
9 US08890574 US 미국 FAMILY
10 US20110043141 US 미국 FAMILY
11 WO2009107948 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
12 WO2009107948 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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5 EP2248169 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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8 JP5539234 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 JP5740429 JP 일본 DOCDBFAMILY
10 US2011043141 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US8890574 US 미국 DOCDBFAMILY
12 WO2009107948 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
13 WO2009107948 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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