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1
소정의 유리전이온도(Tg)를 갖는 고분자들을 포함하는 플라스틱 기판을 형성하는 단계;
상기 플라스틱 기판을 열처리하는 단계; 및
상기 열처리된 플라스틱 기판을 소자에 적용하는 단계를 포함하되,
상기 열처리하는 단계는 (Tg-150)℃ 이상 (Tg+100)℃ 이하의 열을 제공하는 것을 포함하는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판은 300℃ 미만의 유리전이온도(Tg)를 갖는 고분자들을 포함하되,
상기 열처리하는 단계는 상기 플라스틱 기판에 (Tg-100)℃ 이상 (Tg+100) ℃이하의 열을 제공하는 것을 포함하는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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3
청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판은 300℃ 이상의 유리전이온도(Tg)를 갖는 고분자들을 포함하되,
상기 열처리하는 단계는 상기 플라스틱 기판에 (Tg-150)℃ 이상 Tg 이하의 열을 제공하는 것을 포함하는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판을 열처리하는 단계는, 10분 이상 8시간 이하의 시간에 걸쳐 수행되는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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5
청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판을 열처리하는 단계는, 상기 플라스틱 기판에 열을 제공하는 가열 단계와 상기 플라스틱 기판을 냉각하는 냉각 단계를 포함하되,
상기 가열 단계와 상기 냉각 단계는 교대로 복수회 반복되는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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6
청구항 5에 있어서,
상기 반복되는 가열 단계가 수행되는 시간의 합은 10분 이상 8시간 이하인 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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7
청구항 5에 있어서,
상기 가열 단계와 상기 냉각 단계는 2회 내지 10회 반복되는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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8
청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판을 열처리하는 단계는 상기 플라스틱 기판에 연속적으로 열을 제공하는 것을 포함하는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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9
청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판을 열처리하는 단계는, 상기 플라스틱 기판의 상부면 및 하부면 중 적어도 한 면의 전면에 열을 제공하는 것을 포함하는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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10
청구항 9에 있어서,
상기 플라스틱 기판을 열처리하는 단계는, 상기 플라스틱 기판의 상부면 및 하부면 중 어느 한 면의 전면에 열을 제공하는 것과, 상기 상부면 및 하부면 중 다른 한 면의 일부에 열을 제공하는 것을 포함하는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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11
청구항 10에 있어서,
상기 상부면 및 하부면 중 일부에 열이 제공되는 면 상에 상기 소자의 구성요소들이 형성되는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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12
청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판을 소자에 적용하는 단계는, 상기 플라스틱 기판 상에 소자의 구성요소들을 형성하는 단계 및 상기 플라스틱 기판이 적용된 상기 소자를 열처리하는 것을 포함하는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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13
청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판을 소자에 적용하는 단계는,
상기 플라스틱 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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14
청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판을 소자에 적용하는 단계는,
상기 플라스틱 기판 상에 코팅막을 형성하는 단계 및 상기 코팅막을 열처리하는 단계를 포함하는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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15
청구항 1에 있어서,
상기 플라스틱 기판을 열처리 하는 단계는, 상기 플라스틱 기판과 인접한 영역에 배치된 온도제어판에 의해 열이 제공되는 것을 포함하되, 상기 온도제어판과 상기 플라스틱 기판 사이의 거리는 10cm이내인 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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16
청구항 15에 있어서,
상기 온도제어판과 상기 플라스틱 기판은 밀착되어 배치되는 플라스틱 기판을 갖는 소자의 형성방법
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