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제 1 기판;
상기 제 1 기판 상에서 광을 통과시키는 제 1 활성 층이 클래드 층에 매립되도록 형성된 적어도 하나의 제 1 광 소자;
상기 제 1 광 소자가 형성된 상기 제 1 기판에 접합되는 제 2 기판;
상기 제 2 기판 상에 형성되는 제 2 활성 층의 측벽이 상기 클래드 층으로부터 노출되도록 형성되는 적어도 하나의 제 2 광 소자; 및
상기 제 2 광 소자와 상기 제 1 광 소자 사이의 상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 활성 층을 구비하여 상기 제 2 광 소자와 일체형으로 형성되고, 상기 제 1 활성 층에 접합되는 상기 제 2 활성 층이 상기 클래드 층에 매립되도록 형성된 다중모드 간섭 커플러를 포함하는 광 소자 모듈
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제 1 항에 있어서,
상기 다중모드 간섭 커플러는 상기 제 1 활성 층의 선폭과 동일한 제 1 선폭의 상기 제 2 활성 층이 상기 제 1 활성 층에 접합되는 적어도 하나의 입력부와, 상기 입력부에 연결되며 상기 제 1 선폭보다 확장된 제 2 선폭을 갖도록 형성된 간섭부 와, 상기 입력부에 대향되는 상기 간섭부 에 연결되며 상기 제 2 선폭보다 작은 제 3 선폭으로 형성된 적어도 하나의 출력부를 포함하는 광 소자 모듈
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3
제 2 항에 있어서,
상기 다중모드 간섭 커플러는 상기 입력부 또는 출력부에 형성된 적어도 하나의 모드 조절기를 포함하는 광 소자 모듈
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4
제 2 항에 있어서,
상기 입력부의 제 1 선폭은 상기 출력부의 제 3 선폭보다 작은 것을 특징으로 하는 광 소자 모듈
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5
제 4 항에 있어서,
상기 제 2 광 소자는 상기 제 3 선폭으로 형성된 제 2 활성 층과, 상기 제 2 활성 층 상의 상기 클래드 층 상부에서 된 제 2 전극을 구비하는 광 변조기를 포함하는 광 소자 모듈
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6
제 5 항에 있어서,
상기 광 변조기는 상기 제 2 활성 층 및 상기 클래드 층의 측벽에 폴리이미드가 패시베이션 된 것을 특징으로 하는 광 소자 모듈
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7
제 4 항에 있어서,
상기 제 2 광 소자는 딥리지 구조 또는 폴리이미드로 passivation 된 딥리지로 형성된 것을 특징으로 하는 광 소자 모듈
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8
제 4 항에 있어서,
상기 제 1 광 소자는 상기 제 1 선폭으로 형성된 제 1 활성 층과, 상기 제 1 활성 층의 양측에 형성된 전류 차단 층과, 상기 전류 차단 층 및 상기 제 1 활성 층 상의 클래드 층 상부에 상기 제 1 선폭보다 큰 제 4 선폭으로 형성된 제 1 전극을 구비하는 반도체 광 증폭기를 포함하는 광 소자 모듈
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9
제 7 항에 있어서,
상기 반도체 광 증폭기는 평면 매립 헤테로 구조, 또는 매립 리지 구조로 형성된 것을 포함하는 광 소자 모듈
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10
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 광 소자의 상기 제 1 활성 층과, 상기 다중모드 간섭 커플러의 상기 제 2 활성 층은 버트 접합된 것을 특징으로 하는 광 소자 모듈
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