| 1 |
1
기판 상에, 도파로들을 포함하는, 적어도 하나의 광소자 다이를 형성하는 단계;상기 기판의 하부면에 적어도 하나의 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 기판을 쪼갬(cleave)으로써, 상기 트렌치의 상부에서 상기 도파로들의 절단면들(facets)을 형성하는 단계를 포함하되,상기 트렌치는 상기 도파로들의 아래에서 상기 도파로들을 가로지르는 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하되,상기 기판은 단결정 실리콘 웨이퍼이고, 상기 도파로보다 낮은 굴절률을 가지면서 상기 도파로들의 아래에 형성되는 하부막을 더 포함하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 단결정 구조를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 3 |
3
청구항 2에 있어서, 상기 트렌치는 상기 기판에 역학적 취약성을 갖는 취약 영역을 정의하고, 상기 기판을 쪼개는 단계는 상기 취약 영역의 역학적 취약성(mechanical fragileness)을 이용하여 상기 절단면들이 형성되는 위치를 상기 트렌치의 상부로 한정시키는 것을 특징으로 하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서, 상기 기판을 쪼개는 단계는 역학적인 방법을 사용하여 상기 취약 영역에 역학적 스트레스를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서, 상기 도파로들은 실리콘인 것을 특징으로 하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서, 상기 기판 상에 도파로들을 포함하는 적어도 하나의 광소자 다이를 형성하는 단계는, 단결정 실리콘 웨이퍼, 산화막 및 실리콘층을 구비하는, 에스오아이 웨이퍼를 가공하는 단계를 포함하되, 상기 단결정 실리콘 웨이퍼는 상기 기판으로 사용되고, 상기 가공된 실리콘층은 상기 도파로들로 사용되는 것을 특징으로 하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서, 상기 적어도 하나의 광소자 다이는 경계 영역에 의해 공간적으로 분리되면서 상기 기판 상에 2차원적으로 배열되는 복수의 광소자 다이들을 포함하되, 상기 트렌치는 상기 광소자 다이들 사이의 경계 영역으로부터 수평적으로 이격된 상기 기판의 하부면에 형성되는 것을 특징으로 하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 10 |
10
청구항 9에 있어서, 상기 광소자 다이들은 복수의 노광 단계들을 포함하는 패턴 전사 공정을 이용하여 형성되되, 상기 경계 영역은 서로 다른 상기 노광 단계들이 적용되는 영역들 사이에 형성되는 것을 특징으로 도파로 절단면 형성 방법
|
| 11 |
11
청구항 9에 있어서, 상기 적어도 하나의 트렌치를 형성하는 단계는 상기 기판의 하부면에 복수의 트렌치들을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 광소자 다이들 각각의 하부에는 하나 또는 두개의 트렌치들이 형성되는 것을 특징으로 하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서, 상기 광소자 다이들은 상기 기판의 일 측벽으로부터 소정의 거리에 위치하는 기준 다이를 포함하되, 상기 적어도 하나의 트렌치를 형성하는 단계는상기 기준 다이 아래에 기준 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 기준 트렌치를 기준으로 상기 광소자 다이의 피치만큼 이격된 위치에 상기 트렌치를 형성하는 과정을 반복하는 단계를 포함하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 13 |
13
청구항 1에 있어서, 상기 트렌치를 형성하기 전에, 상기 기판의 소정 영역에 기준 마크를 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 트렌치는 상기 기준 마크를 기준점으로 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 14 |
14
청구항 13에 있어서, 상기 기준 마크는 상기 트렌치에 평행한 방향을 따라 상기 기판의 가장자리 영역를 잘라버림으로써 형성되는 상기 기판의 측벽인 것을 특징으로 하는 도파로 절단면 형성 방법
|
| 15 |
15
삭제
|
