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1
실리콘 기판 위에 산화물층을 형성하는 단계;
상기 산화물층 위에 금속 나노 입자를 형성하고, 상기 금속 나노 입자를 마스크로 이용하여 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계; 및
상기 산화물층과 상기 산화물층이 미형성된 상기 실리콘 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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2
제1항에 있어서, 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계는
상기 산화물층 위에 금속 박막을 증착하는 단계;
상기 금속 박막을 어닐링(annealing)하여, 나노 패턴을 가지는 상기 금속 나노 입자를 형성하는 단계;
상기 금속 나노 입자를 마스크로 이용하여 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계; 및
상기 금속 나노 입자를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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3
제2항에 있어서, 상기 금속 박막은
0
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제2항에 있어서, 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계는
상기 산화물층을 습식 식각 방식으로 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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5
제1항에 있어서,
상기 금속 박막은 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr) 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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6
제1항에 있어서,
상기 버퍼층은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄막(AIN) 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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7
제1항에 있어서, 상기 산화물층을 형성하는 단계는
90% 이상의 산소 분위기에서 800 °내지 1100°의 온도하에서 산화막 또는 질화막을 증착시켜 상기 산화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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8
제1항에 있어서,
상기 버퍼층위에 새로운 산화물층을 형성한 후 상기 식각하는 단계로 재진입하여, 상기 식각하는 단계와 상기 버퍼층을 형성하는 단계가 설정 횟수만큼 반복 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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9
실리콘 기판 위에 1차 버퍼층 및 산화물층을 형성하는 단계;
상기 산화물층 위에 금속 나노 입자를 형성하고, 상기 금속 나노 입자를 마스크로 이용하여 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계; 및
상기 산화물층과 상기 산화물층이 미형성된 상기 1차 버퍼층 위에 2차 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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10
제9항에 있어서, 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계는
상기 산화물층 위에 금속 박막을 증착하는 단계;
상기 금속 박막을 어닐링(annealing)하여, 나노 패턴을 가지는 상기 금속 나노 입자를 형성하는 단계;
상기 금속 나노 입자를 마스크로 이용하여 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계; 및
상기 금속 나노 입자를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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11
제10항에 있어서, 상기 금속 박막은
0
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12
제10항에 있어서, 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계는
상기 산화물층을 습식 식각 방식으로 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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13
제9항에 있어서,
상기 금속 박막은 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr) 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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14
제9항에 있어서,
상기 1차 버퍼층과 상기 2차 버퍼층은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄막(AIN) 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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15
제14항에 있어서, 상기 산화물층을 형성하는 단계는
90% 이상의 산소 분위기에서 800 °내지 1100°의 온도하에서 산화막 또는 질화막을 증착시켜 상기 산화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 위한 반도체 기판 제조 방법
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16
실리콘 기판 위에 산화물층을 형성하는 단계;
상기 산화물층 위에 금속 나노 입자를 형성하고, 상기 금속 나노 입자를 마스크로 이용하여 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계;
상기 산화물층과 상기 산화물층이 미형성된 상기 실리콘 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 위에 제1 도전형 질화갈륨 반도체층과, 활성층, 및 제2 도천형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 질화갈륨 반도체층과, 활성층, 및 제2 도천형 반도체층을 부분 식각하는 단계; 및
상기 부분 식각된 제1 도전형 질화갈륨 반도체층과 상기 제2 도천형 반도체층 위에 제1 도전형 전극과 제2 도전형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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17
제16항에 있어서,
상기 제1 도전형 질화갈륨 반도체층과, 활성층, 및 제2 도천형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계 이전에, 상기 버퍼층위에 새로운 산화물층을 형성한 후 상기 식각하는 단계로 재진입하여, 상기 식각하는 단계와 상기 버퍼층을 형성하는 단계가 설정 횟수만큼 반복 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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18
실리콘 기판 위에 1차 버퍼층 및 산화물층을 형성하는 단계;
상기 산화물층 위에 금속 나노 입자를 형성하고, 상기 금속 나노 입자를 마스크로 이용하여 상기 산화물층을 나노 패턴으로 식각하는 단계;
상기 산화물층과 상기 산화물층이 미형성된 상기 1차 버퍼층 위에 2차 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 2차 버퍼층 위에 제1 도전형 질화갈륨 반도체층과, 활성층, 및 제2 도천형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 질화갈륨 반도체층과, 활성층, 및 제2 도천형 반도체층을 부분 식각하는 단계; 및
상기 부분 식각된 제1 도전형 질화갈륨 반도체층과 상기 제2 도천형 반도체층 위에 제1 도전형 전극과 제2 도전형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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