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테라헤르츠파 발생/검출기 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2015085471
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 테라헤르츠파 발생/검출기 및 그의 제조방법을 개시한다. 그 발생/검출기는, 기판; 상기 기판 상의 전면에 형성된 포토 컨덕티브 층; 상기 포토 컨덕티브 층 상에 형성되고, 소정 간극을 갖고 서로 이격되는 제 1 전극과 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 상에서 형성되고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극사이의 상기 간극 내부를 매립시키는 렌즈를 포함한다.렌즈, 테라헤르츠(THz), 포토 컨덕티브(photo-conductive), 안테나(antenna)
Int. CL	H01S 3/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020090088664 (2009.09.18)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1291319-0000 (2013.07.24)
공개번호/일자	10-2011-0030975 (2011.03.24) 문서열기
공고번호/일자	(20130730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.09.18)
심사청구항수	17

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	신재헌	대한민국	대전광역시 유성구
2	박경현	대한민국	대전광역시 유성구
3	김남제	대한민국	대전광역시 유성구
4	한상필	대한민국	대전광역시 서구
5	이철욱	대한민국	대전광역시 유성구
6	심은덕	대한민국	대전광역시 유성구
7	백용순	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.09.18	수리 (Accepted)	1-1-2009-0576221-06
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.10.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0611999-93
3	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-1039052-07
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-1039010-90
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.12.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-1039011-35
6	등록결정서 Decision to grant	2013.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0281111-15
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 상의 전면에 형성된 포토 컨덕티브 층;상기 포토 컨덕티브 층 상에 형성되고, 소정 간극을 갖고 서로 이격되는 제 1 전극과 제 2 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 상에 형성되고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 상기 간극 내부를 매립시키는 렌즈; 및상기 포토 컨덕티브 층 상에 형성된 에치 블록 층을 포함하되, 상기 에치 블록 층은 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 간극 내에서 상기 포토 컨덕티브 층을 노출시키는 제 2 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 렌즈는 플라스틱 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 렌즈는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 상으로 돌출되는 돔 또는 종 모양임을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 렌즈는 접착제에 의해 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 상에 접합된 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
5	5 제 3 항에 있어서, 상기 렌즈는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극들을 합한 전체 길이 보다 직경이 큰 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 갈륨비소로 이루어질 경우, 상기 포토 컨덕티브 층은 저온 갈륨비소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 기판이 인듐인으로 이루어질 경우, 상기 포토 컨덕티브 층은 저온 인듐갈륨비소 또는 이온주입 인듐갈륨비소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 상기 간극과 중첩된 제 1 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
9	9 제 8 항에 있어서,상기 제 1 개구부는 상기 렌즈의 직경보다 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
10	10 삭제
11	11 삭제
12	12 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 개구부는 상기 렌즈의 직경보다 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
13	13 제 1 항에 있어서,상기 기판 상의 상기 포토 컨덕티브 층 하부의 전면에 형성된 에치스토퍼 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기
14	14 기판 상에 포토 컨덕티브 층을 형성하는 단계;상기 포토 컨덕티브 층 상에 에치 블록 층 또는 절연 층을 형성하는 단계;상기 에치 블록 층 또는 상기 절연 층 상에 소정 거리로 이격되는 간극을 갖는 제 1 전극과 제 2 전극을 형성하는 단계;상기 1 전극과 상기 제 2 전극사이의 상기 간극 내부에 매립되면서 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 상부로 돌출되는 렌즈를 형성하는 단계; 및상기 간극에 중첩되도록 상기 기판을 식각하여 상기 포토 컨덕티브 층이 노출되는 제 1 개구부를 형성하는 단계를 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 렌즈는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극사이의 간극 내부 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극의 상에 접착제로 접합되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법
16	16 제 14 항에 있어서, 상기 기판과 상기 포토 컨덕티브 층 사이에 에치스토퍼 층을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법
17	17 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 개구부는 상기 기판이 갈륨비소로 이루어지면, 상기 기판을 구연산(citric acid) 식각액으로 제거하여 상기 에치스토퍼 층이 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법
18	18 삭제
19	19 제 14 항에 있어서, 상기 에치 블록 층 또는 상기 절연층은 상기 렌즈의 하부에서 상기 포토 컨덕티브 층을 노출시키는 제 2 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법
20	20 제 14 항에 있어서,제 1 개구부는 상기 기판이 저온 인듐갈륨비소로 이루어지고, 상기 포토 컨덕티브 층이 인듐인으로 이루어지면, 상기 포토 컨덕티브 층에 비해 상기 기판에 대하여 선택 식각성을 갖는 선택 식각액을 이용하여 상기 기판을 제거함에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08039802	US	미국	FAMILY
2	US20110068270	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2011068270	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US8039802	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1291319-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20090918 출원 번호 : 1020090088664 공고 연월일 : 20130730 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130425 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01S 3/10 발명의 명칭 : 테라헤르츠파 발생/검출기 및 그의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20160725

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	354,000 원	2013년 07월 25일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.09.18	수리 (Accepted)	1-1-2009-0576221-06
2	의견제출통지서	2012.10.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0611999-93
3	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-1039052-07
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-1039010-90
5	[명세서등 보정]보정서	2012.12.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-1039011-35
6	등록결정서	2013.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0281111-15
7	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

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