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박막 형성 장치

  • 기술번호 : KST2015085694
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 형성 장치에 관한 것으로, 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되어 상기 기판에 용액을 제공하는 스프레이 노즐과, 그리고 상기 챔버 내에 설치되어 상기 기판을 가열하는 히터를 포함할 수 있다. 상기 히터는 상기 기판이 균일한 온도를 갖게끔 가열하고, 상기 스프레이 노즐은 상기 기판에 상기 용액을 스프레이식으로 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 상기 기판 상에 원하는 화학조성 및/또는 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/208 (2006.01)
CPC H01L 31/1828(2013.01)
출원번호/일자 1020100020912 (2010.03.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1306986-0000 (2013.09.04)
공개번호/일자 10-2011-0101706 (2011.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.09)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주철원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0149712-21
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0191521-98
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0349834-32
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0349832-41
5 등록결정서
Decision to grant
2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0592704-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 수용하는 챔버와;상기 챔버 내에 설치되어 상기 기판에 용액을 제공하는 스프레이 노즐과; 그리고상기 챔버 내에 설치되어 상기 기판을 가열하는 히터를 포함하고,상기 히터는:상기 기판을 가열하는 열원과; 그리고상기 열원에서 발생된 열을 전달받아 상기 기판에 제공하는 히트 스프레더를 포함하고,상기 히트 스프레더는 작용유체의 기체-액체 상변화로 상기 열원에서 발생되어 상기 기판을 전달되는 열을 균일화하는 박막 형성 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 스프레이 노즐의 상부에 결합된 높이 조절기를 더 포함하고, 상기 높이 조절기는 상기 스프레이 노즐을 상하 이동시켜 상기 스프레이 노즐과 상기 기판과의 간격을 조정하는 박막 형성 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 스프레이 노즐과 상기 기판과의 간격을 측정하는 눈금자를 더 포함하는 박막 형성 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 용액은 다수의 용액들을 포함하고,상기 스프레이 노즐은 상기 다수의 용액들의 혼합액을 상기 기판에 제공하거나 혹은 상기 다수의 용액들 각각을 독립적으로 상기 기판에 제공하는 박막 형성 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 스프레이 노즐은 상기 다수의 용액들 각각을 상기 기판에 독립적으로 제공하는 다수의 노즐들을 포함하는 박막 형성 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 박막의 두께를 인시튜로 측정하는 센서를 더 포함하는 박막 형성 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 스프레이 노즐은 회전형 노즐 및 상기 기판과의 간격이 조정되는 높이 가변형 노즐 중 적어도 어느 하나인 박막 형성 장치
9 9
가열된 기판 상에 박막이 형성되는 반응이 일어나는 챔버와;상기 챔버 내에 설치되어 상기 박막 형성에 필요한 용액을 상기 기판에 스프레이하며, 상기 기판과의 간격이 조정되도록 상하 이동 가능한 높이 가변형 제1 노즐과 상기 챔버 내에 설치되어 상기 기판을 세정하는 세정액을 상기 기판에 스프레이하는 제2 노즐을 포함하는 용액 공급부; 그리고상기 제1 노즐을 마주보도록 상기 챔버 내에 설치되어 상기 기판을 지지하며, 상기 기판을 가열하는데 필요한 열을 발생시키는 열원과 상기 열원에서 발생된 열을 균일화하여 상기 기판에 제공하는 히트 스프레더를 포함하는 히터를;포함하는 박막 형성 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 용액 공급부는:상기 용액이 저장된 용액통에 연결되고, 상기 제1 노즐에 결합되어 상기 용액통으로부터 상기 제1 노즐로 공급되는 상기 용액의 공급 경로를 제공하는 용액 공급관과; 그리고상기 용액 공급관에 결합되어 상기 용액의 공급량을 제어하는 레귤레이터를;포함하는 박막 형성 장치
11 11
제9항에 있어서,상기 용액은 다수의 용액들을 포함하고,상기 용액 공급부는:상기 다수의 용액들이 따로이 저장된 다수의 용액통들에 연결되고, 상기 다수의 용액들 각각의 공급 경로를 제공하는 다수의 용액 공급관들과; 그리고상기 다수의 용액 공급관들 각각에 결합된 다수의 레귤레이터들을;포함하는 박막 형성 장치
12 12
제11항에 있어서,상기 용액 공급부는 상기 다수의 용액들의 혼합액이 저장된 혼합통으로부터 상기 제1 노즐로 상기 혼합액의 공급 경로를 제공하는 혼합액 공급관을 더 포함하는 박막 형성 장치
13 13
제11항에 있어서,상기 제1 노즐은 상기 다수의 용액 공급관들 각각과 결합되어 상기 다수의 용액들을 독립적으로 상기 기판에 스프레이하는 다수의 스프레이 노즐들을 포함하는 박막 형성 장치
14 14
제9항에 있어서,상기 제2 노즐은 상기 세정액과 함께 혹은 상기 세정액과 별개로 상기 기판을 건조시키는 가스를 상기 기판에 제공하는 박막 형성 장치
15 15
제14항에 있어서,상기 세정액이 저장된 세정액통에 연결되고, 상기 세정액의 상기 제2 노즐로의 공급 경로를 제공하는 세정액 공급관과; 그리고상기 가스가 저장된 가스통에 연결되고, 상기 가스의 상기 제2 노즐로의 공급 경로를 제공하는 제1 가스 공급관을;더 포함하는 박막 형성 장치
16 16
제15항에 있어서,상기 가스통에 연결되고, 상기 가스를 상기 제1 노즐로 공급하는 경로를 제공하는 제2 가스 공급관을 더 포함하고;상기 제1 노즐은 상기 용액 공급부로부터 제공된 상기 용액을 상기 제2 가스 공급관을 통해 제공된 상기 가스에 실어 상기 기판으로 스프레이하는 2액형 노즐인 박막 형성 장치
17 17
제14항에 있어서,상기 챔버는:상기 가스 및 상기 용액에서 발산되는 냄새 중 적어도 어느 하나를 배기하는 배기구와;상기 세정액을 배수하는 배수구와;상기 기판과 동일한 높이로 설치되어 상기 박막의 두께를 상기 반응이 진행되는 동안 인시튜로 측정하는 두께 센서와; 그리고상기 챔버의 내부 온도를 측정하는 온도 센서를;포함하는 박막 형성 장치
18 18
열분해 반응으로 기판 상에 박막을 형성하는 공간을 제공하는 반응 챔버와;상기 반응 챔버의 내부 상부에 설치되어, 상기 박막을 구성하는 성분을 포함하는 액상 케미컬을 상기 기판에 제공하는 스프레이 노즐과; 그리고상기 반응 챔버의 내부 하부에 설치되어 상기 기판을 지지하며, 상기 열분해 반응에 필요한 열을 발생시키고, 상기 열을 기액 상변화를 통해 균일화하여 상기 기판에 제공하는 히트 스프레더 구조의 평판형 히터를;포함하는 박막 형성 장치
19 19
제18항에 있어서,상기 액상 케미컬은 다종의 액상 케미컬들을 포함하고,상기 다종의 액상 케미컬들은 상기 스프레이 노즐로 제공되기 이전에 혼합되어 상기 스프레이 노즐을 통해 상기 기판에 스프레이되거나, 혹은상기 다종의 액상 케미컬들 각각은 상기 스프레이 노즐로 각각 제공되어 상기 스프레이 노즐을 통해 상기 기판에 독립적으로 스프레이되는 박막 형성 장치
20 20
제18항에 있어서,상기 박막은 CdS, ZnS 혹은 이들의 조합을 포함하는 태양전지의 버퍼층인 박막 형성 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.