| 1 |
1
반도체 기판 상의 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상의 증폭층;
상기 증폭층 내의 확산층; 및
상기 확산층에 대응하여 형성된 마이크로 렌즈를 포함하되,
상기 마이크로 렌즈는 제 1 굴절층과, 상기 제 1 굴절층보다 굴절률이 낮은 제 2 굴절층을 포함하는 아발란치 광 검출기
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 굴절층은 상기 확산층과 인접하게 형성되고, 상기 제 2 굴절층은 상기 제 1 굴절층 상에 형성된 아발란치 광 검출기
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 굴절층은 TiO2, ZrO2, HfO2, SrTiO3, BaTiO3, PZT, 및 PLZT에서 선택된 적어도 어느 하나인 아발란치 광 검출기
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 굴절층은 SiO2층, SiON층 및 SiNx층에서 선택된 적어도 어느 하나인 아발란치 광 검출기
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,
상기 마이크로 렌즈의 중심부는 상기 마이크로 렌즈의 가장자리보다 두꺼운 아발란치 광 검출기
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,
상기 반도체 기판은 제 1 면 및 상기 제 1 면에 대항하는 제 2 면을 가지며,
상기 확산층은 상기 반도체 기판의 상기 제 1 면에 인접하여 형성되고,
상기 마이크로 렌즈는 상기 반도체 기판의 상기 제 1 면 상에 형성된 아발란치 광 검출기
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,
상기 반도체 기판은 제 1 면 및 상기 제 1 면에 대항하는 제 2 면을 가지며,
상기 확산층은 상기 반도체 기판의 상기 제 1 면에 인접하여 형성되고,
상기 마이크로 렌즈는 상기 반도체 기판의 상기 제 2 면 상에 형성된 아발란치 광 검출기
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,
상기 확산층에 접속된 상부 전극 및 상기 반도체 기판에 접속된 하부 전극을 더 포함하는 아발란치 광 검출기
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,
상기 확산층의 둘레에 이격되어 형성되며 상기 확산층과 도전형이 동일한 가드링을 더 포함하는 아발란치 광 검출기
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,
상기 광 흡수층과 상기 증폭층 사이에서, 밴드갭이 서로 다른 복수의 층들로 이루어진 그레이딩층; 및
상기 그레이딩층과 상기 증폭층 사이에 형성된 전기장 완충층을 더 포함하는 아발란치 광 검출기
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,
상기 증폭층 및 상기 확산층의 표면들을 덮는 표면 보호층을 더 포함하는 아발란치 광 검출기
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,
상기 마이크로 렌즈는 상기 표면 보호층 상에 형성된 아발란치 광 검출기
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서,
상기 확산층의 가장자리 부분과 상기 전기장 완충층 간의 거리는 상기 확산층의 중심부와 상기 광 흡수층 간의 거리보다 큰 아발란치 광 검출기
|
| 14 |
14
제 1 항에 있어서,
상기 반도체 기판은 InP 기판이며, 상기 광 흡수층은 InGaAsP로 이루어지고, 상기 증폭층은 InP로 이루어진 아발란치 광 검출기
|
| 15 |
15
제 1 항에 있어서,
상기 반도체 기판, 상기 광 흡수층 및 상기 증폭층은 n형이고, 상기 확산층은 p형인 아발란치 광 검출기
|
