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가스감지 센서 및 그의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015085899
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 가스감지 센서 및 그 형성방법이 제공된다. 가스감지 센서의 형성방법은 기판 상에 감지 전극을 형성하는 것, 그리고 감지 전극에 접촉하며, 금속 산화물 나노입자를 포함하는 감지막을 형성하는 것을 포함한다. 감지막은 용액 공정(solution process)을 수행하여 형성된다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/02 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020100018043 (2010.02.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1306985-0000 (2013.09.04)
공개번호/일자 10-2011-0098423 (2011.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20130910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.26)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종혁 대한민국 대구광역시 동구
2 오지영 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 그린에스시스템즈 서울특별시 구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0129409-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0027957-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0359733-55
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0657783-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0657782-47
7 등록결정서
Decision to grant
2013.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0603108-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 감지 전극을 형성하는 것;상기 감지 전극에 접촉하며, 금속 산화물 나노입자를 포함하는 감지막을 형성하는 것;상기 기판 상에 상기 감지막의 온도를 조절하는 미소 가열기를 형성하는 것; 상기 감지 전극과 상기 미소 가열기 사이에 도전성 지지대를 형성하는 것; 그리고상기 미소 가열기를 이용하여 상기 감지막을 열처리하는 것을 포함하고,상기 감지막은 용액 공정(solution process)을 수행하여 형성되고,상기 용액 공정을 수행하는 것은:금속 산화물 전구체 용액을 준비하는 것;염기성 화학종을 포함하는 알코올계 용액을 준비하는 것; 그리고상기 금속 산화물 전구체 용액 및 상기 알코올계 용액을 초음파를 사용하여 반응시켜 금속 산화물 나노입자를 포함하는 감지물질 용액을 형성하는 것을 포함하는 가스감지 센서의 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 용액 공정은 스핀 코팅 공정, 잉크젯팅 공정 또는 스프레이 공정을 포함하는 가스감지 센서의 형성방법
3 3
삭제
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청구항 1에 있어서,상기 금속 산화물 전구체 용액은 산화아연 아세테이트(Zinc acetate:[Zn(C2H3O2)2])를 포함하는 가스감지 센서의 형성방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 알코올계 용액은 수산화칼륨(KOH) 및 메탄올(CH3OH)을 반응시켜 준비하는 가스감지 센서의 형성방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 금속 산화물 나노입자는 산화아연 나노입자를 포함하는 가스감지 센서의 형성방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 용액 공정을 수행하는 것은,상기 감지물질 용액에 금속 보조입자 또는 금속 산화물 보조입자를 첨가하는 것을 더 포함하는 가스감지 센서의 형성방법
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청구항 7에 있어서,상기 금속 보조입자는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 코발트(Co) 또는 철(Fe)을 포함하며, 상기 금속 산화물 보조입자는 산화알루미늄(Al2O3)을 포함하는 가스감지 센서의 형성방법
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삭제
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청구항 1에 있어서,상기 금속 산화물 나노입자는 나노 막대(nanorod)의 형태를 가지는 가스감지 센서의 형성방법
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청구항 10에 있어서,상기 금속 산화물 나노입자는 10~100nm의 길이 및 5~15nm의 폭을 가지는 가스감지 센서의 형성방법
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청구항 1의 방법으로 형성된 가스감지 센서
13 13
청구항 1에 있어서,상기 미소 가열기와 상기 기판 사이에 상기 도전성 지지대를 형성하는 것을 더 포함하는 가스감지 센서의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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