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특정 주파수를 갖는 신호를 가이드 하는 도파관(waveguide); 상기 도파관 위에 배치된 마이크로스트립 전송 선로(microstrip transmission line); 및 상기 도파관의 내부에 위치하여 상기 도파관의 임피던스와 상기 마이크로스트립 전송 선로의 임피던스를 매칭시키는 매칭 스터브(matching stub)를 포함하고,상기 도파관은상기 도파관의 신호 및 상기 마이크로스트립 전송 선로의 신호를 서로 전송하는 슬랏(slot)을 포함하며,상기 슬랏은H자 형태, ㄷ자 형태 또는 I 자 형태 중 적어도 하나의 형태를 포함하는 무선 주파수(Radio Frequency: RF) 디바이스
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제1항에 있어서,상기 슬랏은상기 도파관 내부에서 가장 강한 전계(electric field) 또는 자계(magnetic field)가 발생하는 곳에 위치하는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제1항에 있어서,상기 슬랏은 λg , λg/2, λg/4 중 적어도 하나의 슬랏폭을 갖는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제1항에 있어서, 상기 슬랏은복수 개의 슬랏들을 포함하는 슬랏 어레이(array)인 무선 주파수(RF) 디바이스
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제1항에 있어서,상기 매칭 스터브는상기 도파관의 내부에 설치되고, 상기 무선 주파수 디바이스의 임피던스가 50 옴(Ω)이 되는 곳에 위치하는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제1항에 있어서,상기 매칭 스터브는반구, 원기둥 및 바 또는 다각형 형태 중 적어도 하나의 형태를 갖는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제1항에 있어서,상기 도파관은표준 도파관 또는 유전체 도파관이고,상기 무선 주파수 디바이스는 테라 헤르츠(THz), 기가 헤르츠(GHz), 또는 밀리미터파 대역 중 적어도 하나의 대역을 위한 것인 무선 주파수(RF) 디바이스
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제1 주파수를 갖는 신호를 가이드 하는 제1 도파관;제2 주파수를 갖는 신호를 가이드 하는 제2 도파관;상기 제1 도파관과 상기 제2 도파관을 서로 연결하는 전자 소자; 상기 제1 도파관의 내부에 위치하여 상기 제1 도파관의 임피던스와 상기 전자소자의 임피던스를 매칭시키는 제1 매칭 스터브; 및상기 제2 도파관의 내부에 위치하여 상기 제2 도파관의 임피던스와 상기 전자 소자의 임피던스를 매칭시키는 제2 매칭 스터브를 포함하고,상기 제1 도파관은 상기 제1 도파관의 신호 및 상기 전자 소자의 신호를 서로 전송하는 제1 슬랏을 포함하고,상기 제2 도파관은 상기 제2 도파관의 신호 및 상기 전자 소자의 신호를 서로 전송하는 제2 슬랏을 포함하는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제9항에 있어서,상기 제1 슬랏은상기 제1 도파관 내부에서 가장 강한 전계(electric field) 또는 자계(magnetic field)가 발생하는 곳에 위치하는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제9항에 있어서,상기 제2 슬랏은상기 제2 도파관 내부에서 가장 강한 전계(electric field) 또는 자계(magnetic field)가 발생하는 곳에 위치하는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제9항에 있어서,상기 제1 슬랏 또는 상기 제2 슬랏은H자 형태, ㄷ자 형태, 또는 I 자 형태 중 적어도 하나를 포함하는 다각형의 형태를 가지는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제9항에 있어서,상기 제1 슬랏은 λg, λg/2, λg/4 중 적어도 하나의 슬랏폭을 갖는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제9항에 있어서,상기 제2 슬랏은 λg , λg/2, λg/4 중 적어도 하나의 슬랏폭을 갖는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제9항에 있어서,상기 제1 매칭 스터브는 상기 제1 도파관의 내부에 설치되고, 상기 무선 주파수 디바이스의 임피던스가 50 옴(Ω)이 되는 곳에 위치하는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제9항에 있어서,상기 제2 매칭 스터브는 상기 제2 도파관의 내부에 설치되고, 상기 무선 주파수 디바이스의 임피던스가 50 옴(Ω)이 되는 곳에 위치하는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제9항에 있어서,상기 제1 매칭 스터브 또는 상기 제2 매칭 스터브는반구, 원기둥 및 바 또는 다각형 형태 중 적어도 하나의 형태를 갖는 무선 주파수(RF) 디바이스
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제9항에 있어서,상기 제1 도파관 또는 상기 제2 도파관은표준 도파관 또는 유전체 도파관이고,상기 무선 주파수 디바이스는 테라 헤르츠(THz), 기가 헤르츠(GHz), 또는 밀리미터파 대역 중 적어도 하나의 대역을 위한 것인 무선 주파수(RF) 디바이스
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