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도전성 비아홀 및 도전성 비아홀 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015086034
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양질의 도체를 작은 사이즈의 비아홀에 채워 집적 회로의 기판의 3차원 적층 구조를 구현하기 위한 도전성 비아홀 형성에 관한 기술을 제공한다. 본 발명의 실시 예에 따른 도전성 비아홀 형성 방법은, 적층된 복수의 기판들을 도체로 연결하기 위해 기판의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성된 비아홀 구조의 내부를 은의 환원 및 침전 반응을 이용하여 은으로 채우는 단계; 비아홀 구조의 내부 공간 중 채워진 은이 부족한 부분 은을 플로잉하여 채우는 단계; 및 은이 채워진 비아홀 구조의 내부의 상층에 플로잉 시 생성된 산화은 계열의 잔류물을 승화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01)
CPC H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01)
출원번호/일자 1020100035906 (2010.04.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1347197-0000 (2013.12.26)
공개번호/일자 10-2011-0070707 (2011.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20140103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090126704   |   2009.12.18
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.19)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강진영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0248337-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0041743-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0408320-41
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0736321-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0736320-54
7 등록결정서
Decision to grant
2013.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0873044-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적층된 복수의 기판들을 도체로 연결하기 위해 상기 기판의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성된 비아홀 구조의 내부를 은의 환원 및 침전 반응을 이용하여 상기 은으로 채우는 단계;상기 비아홀 구조의 내부 공간 중 채워진 상기 은이 부족한 부분에 상기 은을 플로잉하여 채우는 단계; 및상기 은이 채워진 상기 비아홀 구조의 내부의 상층에 상기 플로잉 시 생성된 산화은 계열의 잔류물을 승화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 은으로 채우는 단계는,질산은(AgNO3) 계열의 화합물의 환원 및 침전 반응을 이용하는 단계인 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 은으로 채우는 단계는,상기 질산은 계열의 화합물의 알칼리계열 수용액에 알데히드기(-CHO)를 포함하는 물질을 추가하여 상기 은을 환원 및 침전시키는 단계인 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 은을 플로잉하여 채우는 단계는,제1 온도 범위 상태, 제1 기압 미만 상태, 및 공기 중 소정량의 산소가 포함된 상태에서 수행되는 단계인 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 제1 온도 범위는,섭씨 300도와 450도 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
6 6
청구항 4에 있어서,상기 제1 기압 미만 상태는,0
7 7
청구항 1에 있어서,상기 플로잉 시 생성된 잔류물인 산화은을 승화시키는 단계는,제2 온도 범위 상태, 제1 기압 미만 상태, 및 공기 중 소정량의 수소가 포함된 상태에서 수행되는 단계인 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 제2 온도 범위 상태는,섭씨 190도와 300도 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 비아홀 구조의 내부에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 절연막을 형성하는 단계는,오존 TEOS(Tetraethly orthosilicate) 및 고온 LPCVD HTO(Low Pressure Chemical Vapor Deposition High Temperature Oxide) 방법 중 하나 이상을 이용하는 단계인 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
11 11
청구항 9에 있어서,상기 절연막은,실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 질산화막(SiON) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
12 12
청구항 9에 있어서,형성된 상기 절연막 표면에 전도체 금속의 확산 및 계면반응에 대한 방지막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
13 13
청구항 12에 있어서,상기 방지막은,TiN, WN, TiW, 및 Ti/Pd 중 하나 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
14 14
청구항 12에 있어서,상기 방지막을 증착하는 단계는,금속 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법을 이용한 단계인 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
15 15
청구항 1에 있어서,상기 기판의 상부 및 하부 중 상기 은이 채워진 상기 비아홀 구조의 반대측을 연마하여 상기 비아홀 구조가 상기 반대측에서 노출되게 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀 형성 방법
16 16
비아홀 구조 내벽에 형성된 절연막;전도체 금속의 확산 및 계면반응을 방지하기 위해 상기 절연막 표면에 형성된 방지막; 및상기 방지막 표면으로부터 상기 비아홀 구조의 내부에 은의 환원 및 침전 반응을 통해 채워진 순도 95% 이상 100% 이하의 은을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀
17 17
청구항 16에 있어서,상기 은은,질산은 계열의 화합물의 알칼리성 수용액에 알데히드기를 포함하는 물질을 추가하여 환원 및 침전된 은인 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀
18 18
청구항 16에 있어서,상기 절연막은,실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 질산화막(SiON) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀
19 19
청구항 16에 있어서,상기 방지막은,TiN, WN, TiW, 및 Ti/Pd 중 하나 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 비아홀
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08927433 US 미국 FAMILY
2 US20110147938 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011147938 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8927433 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.