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기판;단위 LED 셀 영역을 서로 격리하도록 상기 기판상에 형성된 비정질층; 및상기 단위 LED 셀 영역의 기판상에 형성된 발광 구조물을 포함하는 질화갈륨계 LED 소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판 또는 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자
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제1항에 있어서, 상기 비정질층은상기 단위 LED 셀 영역을 제외한 모든 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자
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제1항에 있어서, 상기 비정질층은상기 단위 LED 셀 영역의 측면 영역에만 형성되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자
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제1항에 있어서, 상기 비정질층은 실리카(SiO2) 또는 실리콘 나이트라이드(SiN or SiON) 막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자
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제1항에 있어서, 상기 비정질층은 1~2000 nm의 두께와 1~50μm의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 발광 구조물 사이에 형성되는 버퍼 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자
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기판상에 비정질층을 형성하는 단계;상기 비정질층상에 단위 LED 셀 영역을 정의하고, 상기 단위 LED 셀 영역을 서로 격리시키기 위한 폭 패턴을 형성하는 단계;상기 폭 패턴에 따라 상기 비정질층을 식각하는 단계; 및 상기 비정질층이 식각된 기판상에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 질화갈륨계 LED 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 발광 구조물을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판에 버퍼 층을 형성하여 상기 발광 구조물이 상기 버퍼층 상에 형성되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자의 제조 방법
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10
제8항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판 또는 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 폭 패턴을 형성하는 단계는 상기 단위 LED 셀 영역을 제외한 모든 영역에 상기 폭 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 폭 패턴을 형성하는 단계는 상기 단위 LED 셀 영역의 측면 영역에만 상기 폭 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 비정질층은 실리카(SiO2) 또는 실리콘 나이트라이드(SiN or SiON) 막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 비정질층은 1~2000 nm의 두께와 1~50μm의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 LED 소자의 제조 방법
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