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하단에 접지면이 형성된 기판;상기 기판 위에 형성된 신호선; 및접지면의 일부 영역이 식각되어 형성된 식각 영역과, 상기 식각 영역 일부에 형성되며, 상기 신호선 일부에서 확장된 형태로 형성되는 두 개의 금속 영역을 포함하는 결함접지구조(DGS)부;를 포함하는 메타메터리얼 전송선 장치
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제 1항에 있어서, 상기 신호선에서 접지면까지 형성되는 접지 비아(via)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 신호선의 적어도 일부를 식각하여 형성된 인터디지털 캐패시터를 포함하는 직렬 캐패시터부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 장치
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제 3 항에 있어서, 상기 직렬 캐패시터부는 신호선의 적어도 일부가 미앤더 라인 형태로 식각된 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 장치
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제 1 항에 있어서, 사각 패치 구조; 및상기 사각 패치 구조를 상기 신호선에 연결하여 상기 사각 패치 구조의 임피던스를 변화시키는 병렬 스터브;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 장치
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제 5 항에 있어서, 상기 병렬 스터브의 길이 변경에 따라 인덕턴스가 가변되는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 장치
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제 5 항에 있어서, 상기 사각 패치 구조의 넓이에 따라 캐패시턴스가 가변되는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 접지 비아 반지름에 따라 인덕턴스값이 가변되는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 식각 영역은 상기 금속 영역의 적어도 일부 둘레를 따라 형성된 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 식각 영역은 상기 두 개의 금속 영역 사이와 상기 신호선 일부의 식각 영역이 연결된 형태인 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 장치
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11
신호선이 형성된 기 하단의 접지면 및 신호선 일부를 식각하는 단계; 및상기 식각 부분 내에 신호선 일부에서 확장된 형태로 형성되는 두 개의 금속 영역을 삽입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 신호선에서 접지면까지 접지 비아를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 제조방법
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제 11항에 있어서, 신호선의 적어도 일부를 식각하여 직렬 캐패시터부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 직렬 캐패시터부를 형성하는 단계는, 상기 직렬 캐패시터부를 미앤더 라인 형태로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 제조방법
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제 11항에 있어서,사각 패치 구조를 형성하는 단계; 및상기 사각 패치 구조를 상기 신호선에 연결하여 상기 사각 패치 구조의 임피던스를 변화시키는 병렬 스터브를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메타메터리얼 전송선 제조방법
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