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충진 조성물, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015086138
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 충진 조성물, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공한다. 충진 조성물은, 구리 및 은으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제1 입자, 제1 입자 사이를 전기적으로 연결하는 제2 입자 및 고분자 화합물, 경화제 및 환원제가 함유된 수지를 포함한다. 이때, 경화제는 아민 및 무수물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 환원제는 카르복실기를 포함할 수 있다.
Int. CL C08K 7/18 (2006.01) C08L 101/00 (2006.01) H01B 1/22 (2006.01) C08K 3/08 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100027848 (2010.03.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1381249-0000 (2014.03.28)
공개번호/일자 10-2011-0108577 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.29)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 엄용성 대한민국 대전광역시 유성구
2 문종태 대한민국 대전광역시 유성구
3 최광성 대한민국 대전광역시 유성구
4 배현철 대한민국 대전광역시 유성구
5 이종진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0197918-99
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0226234-09
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0345287-74
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0345288-19
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0689088-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1082659-32
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1082657-41
8 등록결정서
Decision to grant
2014.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0202223-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0965040-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구리(Cu) 및 은(Ag)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제1 입자;상기 제1 입자 사이를 전기적으로 연결하는 제2 입자; 상기 제1 및 제2 입자가 분산되고, 고분자 화합물, 경화제 및 환원제가 함유된 수지; 촉매제(catalyst); 그리고,변형제(deforming agent)를 포함하는 조성물에 있어서,상기 경화제는 아민(amine) 및 무수물(anhydride)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,상기 환원제는 카르복실기를 포함하는 것을 특징으로 하는 충진 조성물
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 입자는 상기 조성물의 5 내지 40 체적%를 차지하며,상기 제2 입자는 상기 조성물의 5 내지 40 체적%를 차지하는 것을 특징으로 하는 충진 조성물
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 입자의 총량은 30 내지 50 체적%를 차지하는 것을 특징으로 하는 충진 조성물
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 입자는 주석(Sn), 비스무트(Bi), In(인듐), Ag(은), Pb(납) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 충진 조성물
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 입자는 60Sn/40Bi, 52In/48Sn, 97In/3Ag, 57Bi/42Sn/1Ag, 58Bi/42Sn, 52Bi/32Pb/16Sn 및 96
6 6
제1항에 있어서,상기 고분자 화합물은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A(diglycidyl ether of bisphenol A, DBEBA), 테트라글리시딜 4,4-디아미노디페닐 메탄(tertraglycidyl 4,4'-diaminodiphenyl methane, TGDDM), 트리 디아미노디페닐 메탄(tri diaminodiphenyl methane, triDDM), 이소시아네이트(isocyanate) 및 비스말레이미드(bismaleimide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 단량체로 포함하는 것을 특징으로 하는 충진 조성물
7 7
제1항에 있어서,상기 경화제는 상기 고분자 화합물의 0
8 8
제1항에 있어서,상기 경화제는 m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine, MPDA), 디아미노디페닐 메탄(diaminodiphenyl methane, DDM), 디아미노디페닐 설폰(diaminodiphenyl sulphone, DDS), 메틸 나딕 무수물(methyl nadic anhydride, MNA), 도데세닐 숙신 무수물(dodecenyl succinic anhydride, DDSA), 말릭 무수물(maleic anhydride, MA), 숙신 무수물(succinic anhydride, SA), 메틸 테트라하이드로프탈릭 무수물(methyl tetrahydrophthalic anhydride, MTHPA), 헥사하이드로프탈릭 무수물(hexahydrophthalic Anhydride, HHPA), 테트라하이드로프탈릭 무수물(tetrahydrophthalic anhydride, THPA) 및 피로멜리틱 이무수물(pyromellitic dianhydride, PMDA)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 충진 조성물
9 9
제1항에 있어서,상기 환원제는 상기 고분자 화합물 중량의 10phr(per hundred resin) 이하인 것을 특징으로 하는 충진 조성물
10 10
제1항에 있어서,상기 환원제는 글루타르산(glutaric acid), 말산(malic acid), 아젤라산(azelaic acid), 아비에트산(abietic acid), 아티프산(adipic acid), 아스크로브산(ascorbic acid), 아크릴산(acrylic acid) 및 시트르산(citric acid)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 충진 조성물
11 11
제1항에 있어서,상기 제1 입자의 직경은 1㎛ 내지 30㎛ 범위이고,상기 제2 입자의 직경은 5nm 내지 100㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 충진 조성물
12 12
삭제
13 13
제1항에 있어서,상기 촉매제는 상기 수지 중량의 30phr 이하인 것을 특징으로 하는 충진 조성물
14 14
제1항에 있어서,상기 촉매제는 벤질 디메틸 아민(benzyl dimethyl amine, BDMA), 보론 트리플루오리드 모노에틸아민 착물(boron trifluoride monoethylamine complex, BF3-MEA), 디메틸아미노 메틸 페놀(dimethylamino methyl phenol, DMP) 및 디메틸 벤졸 아민(dimethyl benzol amine, DMBA)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 충진 조성물
15 15
제1항에 있어서,상기 변형제는 아크릴레이트 올리고머(acrlylate oligomer), 폴리그릴콜(polyglycols), 글리세라이드(glycerides), 폴리프로필렌 글리콜(polypropylene glycol), 디메틸 실리콘(dimethylsilicon), 시메치콘(simethicone), 트리부틸 포스페이트(tributyl phosphate), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 충진 조성물
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
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20 20
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102205470 CN 중국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102205470 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102205470 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2011227228 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (주)덕산하이메탈 부품·소재기술개발사업 도전 및 접합 기능을 갖는 하이브리드형 언더필 소재 개발