1 |
1
안티몬(Sb)에 질소(N), 산소(O) 및 저마늄(Ge)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소가 포함된 볼로미터용 저항재료
|
2 |
2
제1항에 있어서, 안티몬이 20 at% 이상의 범위 내에서 포함되는 것인 볼로미터용 저항재료
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 저항재료는 SbNx(0
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 저항재료는 SbOy(0
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 저항재료는 SbNxOy(0
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 저항재료는 GexSb(0
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 저항재료에는 전이금속이 0at%보다는 많지만 30at% 이하로 더 포함되는 것인 볼로미터용 저항재료
|
8 |
8
제7항에 있어서,상기 전이금속으로는 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 철(Fe) 및 코발트(Co)로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것인 볼로미터용 저항재료
|
9 |
9
적외선 검출기용 볼로미터에 있어서,제1항 내지 제8항중 어느 하나의 항에 따른 볼로미터용 저항재료로부터 형성된 저항체를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 검출기용 볼로미터
|
10 |
10
제9항에 있어서,상기 저항체는 저항이 0
|
11 |
11
제9항에 있어서,상기 저항체는 50 내지 100 ㎚의 두께의 박막인 적외선 검출기용 볼로미터
|
12 |
12
제9항에 있어서, 상기 볼로미터는 내부에 검출회로를 포함하는 반도체 기판과; 상기 반도체 기판 표면의 일부 영역에 형성된 반사막과; 상기 반사막의 양측에 소정 간격 이격되어 형성된 금속패드와; 상기 반사막의 표면으로부터 이격되어 상기 반도체 기판의 상부에 위치하는 저항체를 포함하는 센서 구조체를 포함하는 것인 적외선 검출기용 볼로미터
|
13 |
13
제12항에 있어서,상기 센서 구조체는 보호막으로 둘러싸인 저항체를 포함한 적층체이며, 상기 반사막 상부에 위치하는 몸통부와, 상기 몸통부의 바깥 쪽에 상기 금속패드에 기계적 및 전기적으로 연결되는 고정부와, 몸통부와 고정부를 연결하는 지지팔을 포함하는 것인 적외선 검출기용 볼로미터
|
14 |
14
제12항에 있어서,상기 센서구조체는 저항체의 상·하부에는 보호막, 전극 및 흡수층이 포함되는 것인 적외선 검출기용 볼로미터
|
15 |
15
제14항에 있어서, 상기 보호막은 질화실리콘(Si3N4)인 적외선 검출기용 볼로미터
|
16 |
16
제14항에 있어서, 상기 전극과 흡수층은 티타늄 질화물(TiN)인 적외선 검출기용 볼로미터
|
17 |
17
적외선 검출기용 볼로미터를 제조하는 방법에 있어서,제1항 내지 제8항중 어느 하나의 항에 따른 볼로미터용 저항재료로부터 스퍼터링법을 통해 박막의 형태로 저항체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 검출기용 볼로미터의 제조방법
|
18 |
18
제17항에 있어서, 상기 볼로미터의 제조방법은내부에 검출회로가 형성된 반도체 기판 표면의 일부 영역에 반사막을 형성하고, 상기 반사막의 양측에서 소정 간격 이격하여 금속패드를 형성하는 단계; 상기 반사막과 금속패드를 포함하는 반도체 기판의 전면에 소정 두께의 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층의 상부에 저항체를 포함하는 센서 구조체를 형성하는 단계; 및상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 적외선 검출기용 볼로미터의 제조방법
|
19 |
19
제17항에 있어서,상기 스퍼터링법은 직류(DC) 또는 초고주파(RF) 전원을 인가하는 반응성 스프터링 또는 독립된 타겟을 사용하는 코스퍼터링(co-sputtering)인 적외선 검출기용 볼로미터의 제조방법
|