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기판;상기 기판에 형성된 광전 변환 소자;상기 광전 변환 소자의 주변 상에 형성된 적어도 하나의 배선 층들과 층간 절연막들; 상기 배선 층들과 상기 층간 절연막들에 둘러싸여 상기 광전 변환 소자 상에 중첩된 광 도파로 층;상기 광 도파로 층과, 상기 배선 층들과, 상기 층간 절연막들 상부에서 형성된 상부 마이크로 렌즈; 및상기 상부 마이크로 렌즈와 상기 광 도파로 층 사이에 배치되어, 상기 상부 마이크로 렌즈를 통해 상기 광전 변환 소자에 진행되는 빛의 구면 수차 및 색 수차를 보정하는 적어도 하나의 하부 마이크로 렌즈를 포함하되,상기 하부 마이크로 렌즈는 상기 배선 층들 및 상기 층간 절연막들 사이에 둘러싸인 오목 렌즈를 포함하는 이미지 센서
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제 5 항에 있어서,상기 오목 렌즈 상에 평탄하게 형성되는 평탄 층을 더 포함하는 이미지 센서
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제 7 항에 있어서,상기 평탄 층과 상기 상부 마이크로 렌즈 사이에 형성된 컬러 필터 층을 더 포함하는 이미지 센서
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기판에 광전 변환 소자를 형성하는 단계;상기 광전 변환 소자 상에 광 도파로 층을 형성하는 단계;상기 광 도파로 층 상에 적어도 하나의 하부 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 및상기 하부 마이크로 렌즈 상에 상부 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;를 포함하되,상기 하부 마이크로 렌즈의 형성 단계는,상기 광 도파로 층 상에서 제 1 곡면을 갖는 제 1 희생 마스크 층을 형성하는 단계;상기 제 1 곡면을 유지한 채로 상기 제 1 희생 마스크 층을 제거하고, 상기 광 도파로 층의 상부 표면까지 제거하는 단계;상기 광 도파로 층 상에 투과 층을 형성하는 단계;상기 투과 층 상에 제 2 곡면을 갖는 제 2 희생 마스크 층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 곡면을 유지한 채로 상기 제 2 희생 마스크 층을 제거하고, 상기 제 2 곡면이 상기 제 1 곡면에 근접하기 전까지 상기 투과 층을 제거하는 단계;를 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 곡면은 상부로 볼록한 모양을 포함하고, 상기 제 2 곡면은 하부로 볼록한 모양을 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 광 도파로 층 상의 상기 투과 층을 화학적 기계적 평탄화 방법으로 평탄하게 제거하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 희생 마스크 층과 상기 제 2 희생 마스크 층은 상기 광 도파로 층과 상기 투과 층 상에 임프린트 되는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 희생 마스크 층과 상기 제 2 희생 마스크 층은 포토레지스트를 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 희생 마스크 층 및 상기 광 도파로 층과, 상기 제 2 희생 마스크 층 및 상기 투과 층은 각각 서로 동일한 식각율을 갖는 식각가스를 사용하는 건식식각방법으로 제거되는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 투과 층은 상기 광 도파로 층보다 굴절률이 높은 투명 재질을 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 광 도파로 층의 형성 이전에 상기 광전 변환 소자의 가장자리에 적어도 하나의 배선 층들을 형성하는 단계;상기 배선 층들을 전기적으로 절연하는 적어도 하나의 층간 절연막들을 상기 기판 상에 형성하는 단계; 및상기 광전 변환 소자 상부의 층간 절연막들을 제거하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 하부 마이크로 렌즈와 상기 상부 마이크로 렌즈 사이에 컬러 필터 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 하부 마이크로 렌즈와 상기 컬러 필터 층 사이에 평탄 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 컬러 필터 층 상에 평탄 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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