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이미지 센서 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015086161
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 혼색 현상과 에너지 손실을 줄일 수 있는 이미지 센서 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 센서는 광전 변환 소자와, 상기 광전 변환 소자 상에 형성된 광 도파로 층과, 상기 광 도파로 층 상에서 노출되는 상부 마이크로 렌즈와, 상기 상부 마이크로 렌즈를 통해 상기 광전 변환 소자에 진행되는 빛의 구면 수차 및 색 수차를 보정하기 위해 상기 상부 마이크로 렌즈와 상기 광 도파로 층 사이에 매립된 적어도 하나의 하부 마이크로 렌즈를 포함한다.
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC H01L 27/14625(2013.01) H01L 27/14625(2013.01) H01L 27/14625(2013.01)
출원번호/일자 1020100063899 (2010.07.02)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1410957-0000 (2014.06.17)
공개번호/일자 10-2012-0003182 (2012.01.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.02)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 엄두승 대한민국 서울특별시 성동구
2 김상협 대한민국 대전광역시 서구
3 정명애 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0430130-84
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0061791-70
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2010.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0449395-09
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2013.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2013-0019630-44
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0088560-81
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0753142-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-1154983-32
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1154982-97
10 등록결정서
Decision to grant
2014.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0277304-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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기판;상기 기판에 형성된 광전 변환 소자;상기 광전 변환 소자의 주변 상에 형성된 적어도 하나의 배선 층들과 층간 절연막들; 상기 배선 층들과 상기 층간 절연막들에 둘러싸여 상기 광전 변환 소자 상에 중첩된 광 도파로 층;상기 광 도파로 층과, 상기 배선 층들과, 상기 층간 절연막들 상부에서 형성된 상부 마이크로 렌즈; 및상기 상부 마이크로 렌즈와 상기 광 도파로 층 사이에 배치되어, 상기 상부 마이크로 렌즈를 통해 상기 광전 변환 소자에 진행되는 빛의 구면 수차 및 색 수차를 보정하는 적어도 하나의 하부 마이크로 렌즈를 포함하되,상기 하부 마이크로 렌즈는 상기 배선 층들 및 상기 층간 절연막들 사이에 둘러싸인 오목 렌즈를 포함하는 이미지 센서
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7 7
제 5 항에 있어서,상기 오목 렌즈 상에 평탄하게 형성되는 평탄 층을 더 포함하는 이미지 센서
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제 7 항에 있어서,상기 평탄 층과 상기 상부 마이크로 렌즈 사이에 형성된 컬러 필터 층을 더 포함하는 이미지 센서
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기판에 광전 변환 소자를 형성하는 단계;상기 광전 변환 소자 상에 광 도파로 층을 형성하는 단계;상기 광 도파로 층 상에 적어도 하나의 하부 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 및상기 하부 마이크로 렌즈 상에 상부 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;를 포함하되,상기 하부 마이크로 렌즈의 형성 단계는,상기 광 도파로 층 상에서 제 1 곡면을 갖는 제 1 희생 마스크 층을 형성하는 단계;상기 제 1 곡면을 유지한 채로 상기 제 1 희생 마스크 층을 제거하고, 상기 광 도파로 층의 상부 표면까지 제거하는 단계;상기 광 도파로 층 상에 투과 층을 형성하는 단계;상기 투과 층 상에 제 2 곡면을 갖는 제 2 희생 마스크 층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 곡면을 유지한 채로 상기 제 2 희생 마스크 층을 제거하고, 상기 제 2 곡면이 상기 제 1 곡면에 근접하기 전까지 상기 투과 층을 제거하는 단계;를 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 곡면은 상부로 볼록한 모양을 포함하고, 상기 제 2 곡면은 하부로 볼록한 모양을 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 광 도파로 층 상의 상기 투과 층을 화학적 기계적 평탄화 방법으로 평탄하게 제거하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 희생 마스크 층과 상기 제 2 희생 마스크 층은 상기 광 도파로 층과 상기 투과 층 상에 임프린트 되는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 희생 마스크 층과 상기 제 2 희생 마스크 층은 포토레지스트를 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 희생 마스크 층 및 상기 광 도파로 층과, 상기 제 2 희생 마스크 층 및 상기 투과 층은 각각 서로 동일한 식각율을 갖는 식각가스를 사용하는 건식식각방법으로 제거되는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 투과 층은 상기 광 도파로 층보다 굴절률이 높은 투명 재질을 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 광 도파로 층의 형성 이전에 상기 광전 변환 소자의 가장자리에 적어도 하나의 배선 층들을 형성하는 단계;상기 배선 층들을 전기적으로 절연하는 적어도 하나의 층간 절연막들을 상기 기판 상에 형성하는 단계; 및상기 광전 변환 소자 상부의 층간 절연막들을 제거하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 하부 마이크로 렌즈와 상기 상부 마이크로 렌즈 사이에 컬러 필터 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 하부 마이크로 렌즈와 상기 컬러 필터 층 사이에 평탄 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
20 20
제 18 항에 있어서,상기 컬러 필터 층 상에 평탄 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.