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화합물 반도체 태양전지의 제조방법

기술번호 : KST2015086251
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 실시예는, 배면 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및 상기 배면 전극 상에 인듐 증착 가스 분위기 하에서, 금속 타겟을 스퍼터링하여 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법을 제공한다.
Int. CL	H01L 21/203 (2006.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC
출원번호/일자	1020100100948 (2010.10.15)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1504343-0000 (2015.03.13)
공개번호/일자	10-2012-0039305 (2012.04.25) 문서열기
공고번호/일자	(20150320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.10.15)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박래만	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.10.15	수리 (Accepted)	1-1-2010-0667814-96
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0740575-75
3	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.12.03	수리 (Accepted)	1-1-2013-1105654-99
4	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.12.03	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1105653-43
5	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2014.01.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0021136-60
6	심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner	2014.03.27	수리 (Accepted)	7-8-2014-0008267-38
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
8	등록결정서 Decision to grant	2015.02.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0136863-32
9	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2015-0212332-25

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 배면 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계;인듐 증착 가스 분위기를 제공하는 단계; 및상기 인듐 증착 가스 분위기 하에서, 금속 타겟을 스퍼터링하여 상기 배면 전극 상에 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 스퍼터링 공정 동안, 상기 금속 타겟으로부터 스퍼터링된 입자들은 상기 인듐 증착 가스 분위기로부터 얻어진 인듐과 반응하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 금속 타겟은 구리, 구리/갈륨 또는 구리/갈륨/셀레늄 중 어느 하나인 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 인듐 증착 가스는 금속 인듐을 10A/sec 내지 100A/sec의 유량(flux)으로 흘려보내면서 700℃ 내지 1000℃의 온도로 가열하여 발생된 가스 또는 유기금속 인듐을 30℃ 내지 100℃의 온도로 가열하여 발생된 가스를 사용하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 유기금속 인듐은 트리메틸인듐(Trimethyl Indium)인 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
5	5 제 3 항에 있어서,상기 인듐 증착 가스는 상기 CIGS 박막이 형성되는 반응기의 내부에서 상기 금속 인듐 또는 상기 유기금속 인듐을 가열하여 공급하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
6	6 제 3 항에 있어서,상기 인듐 증착 가스는 상기 CIGS 박막이 형성되는 반응기의 외부에서 상기 금속 인듐 또는 상기 유기금속 인듐을 가열하여 인듐 가스를 발생시킨 후 이송가스를 이용하여 상기 인듐 가스를 유도관을 통해 공급하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
7	7 제 2 항에 있어서,상기 구리 또는 구리/갈륨의 금속 타겟 사용 시, 상기 CIGS 박막이 형성되는 반응기의 내부에는 별도의 셀레늄 공급 장치를 통해 셀레늄을 공급하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 스퍼터링은 350℃ 내지 550℃의 기판온도에서 수행하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
9	9 제 2 항에 있어서,상기 구리/갈륨 또는 구리/갈륨/셀레늄에 포함되는 갈륨의 함량은 전체 함량의 20atom% 내지 30atom%를 차지하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08258003	US	미국	FAMILY
2	US20120094428	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	DE102011003941	DE	독일	DOCDBFAMILY
2	US2012094428	US	미국	DOCDBFAMILY
3	US8258003	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1504343-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20101015 출원 번호 : 1020100100948 공고 연월일 : 20150320 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150226 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 31/0445 발명의 명칭 : 화합물 반도체 태양전지의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180314

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	198,000 원	2015년 03월 16일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.10.15	수리 (Accepted)	1-1-2010-0667814-96
2	의견제출통지서	2013.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0740575-75
3	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.12.03	수리 (Accepted)	1-1-2013-1105654-99
4	[명세서등 보정]보정서	2013.12.03	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1105653-43
5	거절결정서	2014.01.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0021136-60
6	심사관의견요청서	2014.03.27	수리 (Accepted)	7-8-2014-0008267-38
7	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
8	등록결정서	2015.02.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0136863-32
9	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2015-0212332-25

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번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2014101000695	2014원695	2010년 특허출원 제0100948호 거절결정불복	2014.02.05	2015.01.20

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