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기판 상에 구리(Cu); 인듐(In); 및 갈륨(Ga) 및 황(S)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 구리인듐화합물 씨드입자를 포함하는 씨드입자층을 스핀코팅법 또는 침지법으로 형성하는 단계;상기 씨드입자층 상에 구리(Cu) 수용성 전구체; 인듐(In) 수용성 전구체; 및 갈륨(Ga) 및 황(S)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원료의 수용성 전구체를 포함하는 용액을 도포하는 단계; 및고온에서 박막을 형성하는 단계를 포함하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 구리인듐화합물 씨드입자는 CuInS2 및 Cu(In, Ga)S2로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 구리(Cu) 수용성 전구체는 CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4, Cu(CH3COO)2 및 이들의 수화물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 인듐(In) 수용성 전구체는 InCl3, In(NO3)3, In(CH3COO)3, In2(SO4)3 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 갈륨(Ga) 수용성 전구체는 GaCl3, Ga(NO3)3, GaI3 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 황(S) 수용성 전구체는 (NH2)2CS 또는 이의 수화물인 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 용액은 물 또는 완충액을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 용액 중 수용성 전구체와 물 또는 완충액의 부피비는 1:1~1:10,000인 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 용액은 구조 유도 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 고온에서 박막을 형성하는 단계는수열합성법으로 박막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 수열합성법으로 박막을 형성하는 단계는70~250℃에서 1~175시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 CIS 또는 CIGS 박막의 제조방법
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