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태양전지 및 그 형성방법

  • 기술번호 : KST2015086258
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 및 그 형성방법이 제공된다. 태양전지는 기판 상의 나노 패턴과 상기 나노 패턴 상의 나노 구조체를 포함하는 반사방지막, 반사 방지막 상의 제 1 전극, 제 1 전극 상의 광전 변환층 및 광전 변환층 상의 제 2 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100091202 (2010.09.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1325646-0000 (2013.10.30)
공개번호/일자 10-2012-0029235 (2012.03.26) 문서열기
공고번호/일자 (20131120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.16)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정미희 대한민국 대전광역시 서구
2 강만구 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0604591-99
2 등록결정서
Decision to grant
2013.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0728523-29
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의 반사 방지막;상기 반사 방지막 상의 제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 광전 변환층; 및상기 광전 변환층 상의 제 2 전극을 포함하되,상기 반사 방지막은 상기 기판 상의 나노 패턴들 및 상기 나노 패턴들 상의 상기 제 1 전극보다 굴절률이 작은 나노 구조체를 포함하는 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서,상기 나노 패턴들은 투명 전도성 산화물을 포함하는 태양전지
3 3
청구항 1에 있어서,상기 나노 패턴들은 불소가 도핑된 주석 산화막(Fluorine-doped Tin Oxide)을 포함하는 태양전지
4 4
청구항 1에 있어서,상기 나노 패턴들은 요철부를 가지는 나노 필러의 형상을 가지는 태양전지
5 5
청구항 1에 있어서,상기 나노 구조체는 아연 산화물을 포함하는 태양전지
6 6
청구항 1에 있어서,상기 나노 구조체는 나노 파티클층을 포함하는 태양전지
7 7
청구항 6에 있어서,상기 나노 파티클층은 나노포어(nanopore)를 포함하는 태양전지
8 8
청구항 1에 있어서,상기 나노 구조체는 나노 로드층을 포함하는 태양전지
9 9
청구항 1에 있어서,상기 나노 패턴들과 상기 제 1 전극은 동일한 물질을 포함하는 태양전지
10 10
청구항 9에 있어서,상기 나노 패턴들과 상기 제 1 전극은 투명 전도성 산화물을 포함하는 태양전지
11 11
청구항 1에 있어서,상기 광전 변환층은:상기 제 1 전극 상의 반도체 전극층; 및상기 반도체 전극층 상의 전해질층을 포함하는 태양전지
12 12
기판 상에 투명 전도성 산화막을 형성하는 단계;상기 투명 전도성 산화막을 패터닝하여 나노 패턴들을 형성하는 단계;상기 나노 패턴들 상에 나노파티클층을 형성하는 단계; 그리고상기 나노 파티클층 상에 제 1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 형성방법
13 13
청구항 12에 있어서,상기 나노 패턴들을 형성하는 단계는:상기 투명 전도성 산화막 상에 폴리스티렌(polystyrene) 나노 파티클 또는 실리콘 산화물 나노 파티클을 이용하여 원자층을 형성하는 단계; 그리고상기 폴리스티린 나노 파티클 또는 실리콘 산화물 나노 파티클을 마스크로 이용하여, 상기 투명 전도성 산화막을 패터닝하는 단계를 포함하는 태양전지의 형성방법
14 14
청구항 12에 있어서,상기 나노 파티클층을 형성하는 단계는:아연 산화물 전구체를 유기 용매에 용해시켜 용액을 형성하는 단계;상기 용액을 상기 기판 상에 도포하는 단계; 그리고상기 기판을 가열하여 상기 유기 용매를 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 형성방법
15 15
청구항 12에 있어서,상기 제 1 전극은 투명 전도성 산화물로 형성되는 태양전지의 형성방법
16 16
청구항 12에 있어서,상기 제 1 전극 상에 반도체 전극층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 전극층 상에 전해질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 형성방법
17 17
기판 상에 투명 전도성 산화막을 형성하는 단계;상기 투명 전도성 산화막을 패터닝하여 나노 패턴들을 형성하는 단계;상기 나노 패턴들 상에 나노로드층을 형성하는 단계; 그리고상기 나노로드층 상에 제 1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 형성방법
18 18
청구항 17에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는:상기 나노 패턴들 상에 나노 파티클층을 형성하는 단계; 그리고상기 나노 파티클층을 시드층으로 사용하여, 상기 나노 파티클층을 성장시키는 단계를 포함하는 태양전지의 형성방법
19 19
청구항 17에 있어서,상기 제 1 전극 상에 반도체 전극층을 형성하는 단계; 그리고상기 반도체 전극층 상에 전해질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 형성방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08569615 US 미국 FAMILY
2 US20120067413 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012067413 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8569615 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.