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전기-광학 변조 소자

  • 기술번호 : KST2015086266
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전기-광학 변조 소자가 제공된다. 이 소자는 적어도 두 개의 측벽들을 갖는 수직 구조체가 형성된 광 도파로를 구비하되, 수직 구조체의 측벽들은 접합을 구성하는데 이용된다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) G02B 6/10 (2006.01)
CPC G02F 1/025(2013.01)G02F 1/025(2013.01)G02F 1/025(2013.01)G02F 1/025(2013.01)
출원번호/일자 1020100066675 (2010.07.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1453473-0000 (2014.10.15)
공개번호/일자 10-2011-0027549 (2011.03.16) 문서열기
공고번호/일자 (20141024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090084581   |   2009.09.08
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.12)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경옥 대한민국 서울특별시 강남구
2 박정우 대한민국 대전광역시 유성구
3 유종범 대한민국 경기도 성남시 중원구
4 김상기 대한민국 대전광역시 유성구
5 김상훈 대한민국 서울특별시 양천구
6 김인규 대한민국 대전광역시 유성구
7 주지호 대한민국 경기도 고양시 일산서구
8 김덕준 대한민국 대전광역시 서구
9 서동우 대한민국 대전광역시 유성구
10 박상기 대한민국 대전광역시 서구
11 장기석 대한민국 대전광역시 대덕구
12 표정형 대한민국 서울특별시 마포구
13 김갑중 대한민국 대전광역시 유성구
14 김도원 대한민국 대전광역시 서구
15 박대서 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0446094-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0070865-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0705822-93
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1144711-52
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1144709-60
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0227351-45
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0472018-90
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0472019-35
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0675213-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 두 개의 측벽들을 갖는 수직 구조체가 형성된 광 도파로를 구비하되, 상기 수직 구조체의 측벽들은 접합(junction)을 구성하는데 이용되며,상기 광 도파로는 제 1 슬랩 부분(first slab portion), 제 2 슬랩 부분(second slab portion) 및 상기 제 1 및 제 2 슬랩 부분들 사이에 개재되는 립 부분(rib portion)을 포함하는 슬랩 도파로 구조를 갖고, 상기 수직 구조체는 상기 립 부분 내에 형성되고,상기 광 도파로는:상기 제 1 슬랩 부분으로부터 연장되어 상기 수직 구조체의 일 측벽에 접하는 제 1 몸체 영역; 및 상기 제 2 슬랩 부분으로부터 연장되어 상기 수직 구조체의 다른 측벽에 접하는 제 2 몸체 영역을 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 몸체 영역들은 제 1 도전형이고, 상기 수직 구조체는 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형을 갖는 적어도 하나의 수직 도핑 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 광 도파로의 아래에 배치되는 매몰 절연막을 더 포함하되, 상기 광 도파로는 상기 매몰 절연막의 상부면을 노출시키는 측벽을 갖도록 형성되는 채널 도파로 구조인 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 수직 구조체의 수직적 길이는 상기 립 부분의 두께와 동일하고, 상기 제1 및 제2 몸체 영역들은 상기 수직 구조체에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 수직 도핑 영역과 제 1 회로를 전기적으로 연결하는 제 1 배선 구조체; 및상기 슬랩 부분과 제 2 회로를 전기적으로 연결하는 제 2 배선 구조체를 더 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 회로들은 상기 제1 및 제2 몸체 영역들과 상기 수직 구조체가 이루는 한 쌍의 피엔 접합들의 역-바이어스 동작을 위한 전위차를 생성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 슬랩 부분은 상기 제 1 도전형의 제 1 도핑 영역을 포함하고,상기 제 2 슬랩 부분은 상기 제 1 도전형의 제 2 도핑 영역을 포함하고, 상기 광 도파로는 상기 제 1 도핑 영역으로부터 연장되어 상기 수직 구조체의 일 측벽에 접하는 상기 제 1 몸체 영역; 및 상기 제 2 도핑 영역으로부터 연장되어 상기 수직 구조체의 다른 측벽에 접하는 상기 제 2 몸체 영역을 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 몸체 영역들은 진성 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 제 1 도핑 영역, 상기 제 1 몸체 영역 및 상기 수직 구조체는 피아이엔 접합(PIN-junction)을 구성하고, 상기 제 2 도핑 영역, 상기 제 2 몸체 영역 및 상기 수직 구조체는 피아이엔 접합을 구성하는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 수직 도핑 영역과 제 1 회로를 전기적으로 연결하는 제 1 배선 구조체; 및상기 슬랩 부분과 제 2 회로를 전기적으로 연결하는 제 2 배선 구조체를 더 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 회로들은 상기 피아이엔 접합들의 순-바이어스 동작을 위한 전위차를 생성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
10 10
삭제
11 11
청구항 1에 있어서, 상기 수직 구조체는 복수의 수직 도핑 영역들; 및 상기 수직 도핑 영역들 사이에 개재되는 적어도 하나의 내부 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 적어도 하나의 내부 영역은 상기 수직 도핑 영역들과 다른 도전형을 갖는 내부 도핑 영역을 포함함으로써, 상기 수직 도핑 영역들과 피엔 접합(PN-junction)을 구성하는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
13 13
청구항 11에 있어서, 상기 적어도 하나의 내부 영역은 한 쌍의 진성 영역들 및 상기 진성 영역들 사이에 개재되면서 상기 수직 도핑 영역들과는 다른 도전형을 갖는 내부 도핑 영역을 포함함으로써, 상기 수직 도핑 영역들과 적어도 두 개의 피아이엔 접합(PIN-junction)을 구성하는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
14 14
청구항 11에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 슬랩 부분들은, 상기 제 1 도전형의 제 1 및 제 2 도핑 영역들을 각각 포함하되, 상기 내부 영역과 상기 제 1 및 제 2 도핑 영역들은 서로 다른 전압을 생성하는 회로들에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
15 15
적어도 두 개의 측벽들을 갖는 수직 구조체가 형성된 광 도파로를 구비하되, 상기 수직 구조체의 측벽들은 접합(junction)을 구성하는데 이용되며,상기 광 도파로는 제 1 슬랩 부분(first slab portion), 제 2 슬랩 부분(second slab portion) 및 상기 제 1 및 제 2 슬랩 부분들 사이에 개재되는 립 부분(rib portion)을 포함하는 슬랩 도파로 구조를 갖고, 상기 수직 구조체는 상기 립 부분 내에 형성되고,상기 광 도파로는:상기 제 1 슬랩 부분으로부터 연장되어 상기 수직 구조체의 일 측벽에 접하는 제 1 몸체 영역; 및 상기 제 2 슬랩 부분으로부터 연장되어 상기 수직 구조체의 다른 측벽에 접하는 제 2 몸체 영역을 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 몸체 영역들은 제 1 도전형이고, 상기 수직 구조체는, 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형을 갖는, 적어도 하나의 수직 도핑 영역을 포함하고,상기 제 1 및 제 2 도핑 영역들은 상기 수직 구조체의 하부벽 아래에서 서로 전기적으로 연결되어 등전위 상태에 있는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
16 16
삭제
17 17
청구항 15에 있어서, 상기 제 1 슬랩 부분은 상기 제 1 도전형의 제 1 도핑 영역을 포함하고,상기 제 2 슬랩 부분은 상기 제 1 도전형의 제 2 도핑 영역을 포함하고, 상기 광 도파로는 상기 제 1 도핑 영역으로부터 연장되어 상기 수직 구조체의 일 측벽에 접하는 상기 제 1 몸체 영역; 및 상기 제 2 도핑 영역으로부터 연장되어 상기 수직 구조체의 다른 측벽에 접하는 상기 제 2 몸체 영역을 포함하되, 상기 제1 및 제2 몸체 영역들은 진성 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
18 18
삭제
19 19
청구항 15에 있어서,상기 립 부분은, 피엔 접합(PN-junction)을 구성하는 한 쌍의 측벽들과 하부벽을 갖는 수직 구조체(vertical structure)를 포함하고,상기 광 도파로는 상기 제 1 슬랩 부분과 상기 수직 구조체 사이에 개재되는 상기 제 1 몸체 영역(first body region) 및 상기 제 2 슬랩 부분과 상기 수직 구조체 사이에 개재되는 상기 제 2 몸체 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
청구항 15에 있어서, 상기 수직 구조체의 수직적 길이는 상기 립 부분의 두께보다 작고, 상기 제 1 및 제 2 몸체 영역들은 상기 수직 구조체의 아래에서 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
23 23
청구항 15에 있어서, 상기 수직 구조체와 제 1 회로를 전기적으로 연결하는 제 1 배선 구조체; 및상기 제 1 및 제 2 슬랩 부분들과 제 2 회로를 전기적으로 연결하는 제 2 배선 구조체를 더 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 회로들은 상기 제1 및 제2 몸체 영역들과 상기 수직 구조체가 이루는 한 쌍의 피엔 접합들의 역-바이어스 동작을 위한 전위차를 생성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
24 24
청구항 17에 있어서,상기 립 부분은 적어도 두 개의 피아이엔 접합들(PIN-junctions)을 구성하는 수직 구조체(vertical structure)을 포함하고,상기 제1 및 제2 슬랩 부분들은 상기 제1 도전형의 제1 및 제2 도핑 영역들을 각각 포함하고, 상기 광도파로는 상기 제1 슬랩 부분과 상기 수직 구조체 사이에 개재되는 상기 제1 몸체 영역 및 상기 제2 슬랩 부분과 상기 수직 구조체 사이에 개재되는 상기 제2 몸체 영역을 포함하되,상기 제1 및 제2 몸체 영역들은 진성 반도체인 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
25 25
삭제
26 26
청구항 24에 있어서, 상기 수직 구조체와 제 1 회로를 전기적으로 연결하는 제 1 배선 구조체; 및상기 제 1 및 제 2 슬랩 부분들과 제 2 회로를 전기적으로 연결하는 제 2 배선 구조체를 더 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 회로들은 상기 피아이엔 접합들의 순-바이어스 동작을 위한 전위차를 생성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전기-광학 변조 소자
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC