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발광 소자 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015086343
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 발광 소자는 제 2 P형층의 폭이 제 2 N형층보다 좁음으로써, 터널 정션을 형성하면서 제 2 P형층만으로 전류 제한층의 기능을 함으로써, 전류제한층 형성으로 인한 소자의 저항 증가를 줄이고 고속 동작에 유리하다. 이 발광 소자에서 제 2 P형층과 제 2 N형층이 타입 II 밴드 정렬을 가지는 박막으로 형성되어 터널 정션이 형성되므로 불순물 첨가량을 줄일 수 있어 터널 다이오드의 형성을 용이하게 할 수 있다. 이 발광소자는 제 2 P형층의 측면과 제 2 N형층의 하부면을 덮는 표면 보호막을 더 포함하므로써, 소자 내부에서 빛의 산란 또는 표면 재결합으로 인한 전자가 식각면에서 포획되는 것을 막을 수 있다.
Int. CL	H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/54 (2014.01)
CPC	H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자	1020100086644 (2010.09.03)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1361656-0000 (2014.02.05)
공개번호/일자	10-2012-0024049 (2012.03.14) 문서열기
공고번호/일자	(20140212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.05.07)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	한원석	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.09.03	수리 (Accepted)	1-1-2010-0574993-91
2	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.05.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0362974-31
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.05.07	수리 (Accepted)	1-1-2012-0362979-69
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.02.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.03.06	수리 (Accepted)	9-1-2013-0011693-62
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.07.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0524099-32
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.09.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0844801-69
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.09.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0844800-13
9	등록결정서 Decision to grant	2014.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0074254-70
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 N형 층;상기 제 1 N형 층 상의 활성층;상기 활성층 상의 제 1 P형 층;상기 제 1 P형 층 상에 배치되는 제 2 P형 층; 및제 2 P형 층 상의 제 2 N형 층을 포함하되, 상기 제 2 P형 층은 상기 제 2 N형 층의 폭보다 좁은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 2 P형 층은 상기 제 1 P형 층의 폭보다 좁은 폭을 갖고,상기 제 1 P형 층 및 상기 제 2 N형 층 사이에 개재된 공기층을 더 포함하는 발광 소자
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 P형 층은 상기 제1 N형 층의 폭보다 좁은 폭을 갖는 발광 소자
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 2 P형 층과 상기 제 2 N형 층은 타입 II 밴드 정렬을 갖는 발광 소자
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 2 N형 층의 불순물 농도는 상기 제 1 N형 층의 불순물 농도보다 높고, 상기 제 2 P형 층의 불순물 농도는 상기 제 1 P형 층의 불순물 농도보다 높은 발광 소자
6	6 제 1 항에 있어서,상기 제 1 P형 층 및 상기 제 2 N형 층 사이에 개재된 표면보호막을 더 포함하는 발광 소자
7	7 제 6 항에 있어서,상기 표면보호막은 상기 제 1 P형 층의 상부면의 일부, 상기 제 2 P형 층의 측면, 및 상기 제 2 N형 층의 하부면의 일부를 덮되,상기 표면보호막 내에 공기층을 더 포함하는 발광 소자
8	8 제 1 항에 있어서,상기 제 1 N형 층과 상기 활성층 및/또는 상기 활성층과 상기 제 1 P형 층 사이에 개재된 SCH 층을 더 포함하는 발광 소자
9	9 제 1 항에 있어서,상기 제 2 N형 층 상에 배치된 N형 스페이서 층;상기 N형 스페이서 층 상에 차례로 배치된 N형 오믹콘택층 및 상부전극; 및상기 제 1 N형 층 하부에 배치된 하부 전극을 더 포함하는 발광 소자
10	10 제 1 항에 있어서,상기 제 1 N형 층과 상기 활성층 사이 및/또는 상기 제 2 N형 층 상에 브래그 거울층을 더 포함하는 발광 소자

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1361656-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20100903 출원 번호 : 1020100086644 공고 연월일 : 20140212 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140129 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 33/20 발명의 명칭 : 발광 소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180206

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	217,500 원	2014년 02월 06일	납입
제 4 년분	금 액	182,000 원	2017년 01월 24일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.09.03	수리 (Accepted)	1-1-2010-0574993-91
2	[명세서등 보정]보정서	2012.05.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0362974-31
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.05.07	수리 (Accepted)	1-1-2012-0362979-69
4	선행기술조사의뢰서	2013.02.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2013.03.06	수리 (Accepted)	9-1-2013-0011693-62
6	의견제출통지서	2013.07.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0524099-32
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.09.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0844801-69
8	[명세서등 보정]보정서	2013.09.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0844800-13
9	등록결정서	2014.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0074254-70
10	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

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