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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015086382
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 다른 층에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막, 그리고 상기 게이트 절연막을 통하여 상기 게이트 전극과 중첩하는 위치에 형성되는 반도체를 포함하고, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 동일한 용해성 물질을 포함한다. 이로 인해, 별도의 증착 공정이나 식각 공정 없이 대기 환경에서 행해지는 잉크젯 인쇄 방식을 이용하여 박막 트랜지스터의 모든 막을 형성하므로, 제조 시간과 제조 비용이 줄어들고, 동일한 조건하에 동일한 유기 물질을 이용하여 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 형성하므로, 제조 비용이나 제조 시간이 더욱이 줄어든다. 잉크젯, 잉크젯프린팅, 유기박막트랜지스터, OTFT, 표면처리, PVP, OTFT, 용액공정
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01)
출원번호/일자 1020080034644 (2008.04.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1008379-0000 (2011.01.07)
공개번호/일자 10-2009-0109277 (2009.10.20) 문서열기
공고번호/일자 (20110114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원규 대한민국 대전 유성구
2 김정석 대한민국 대전 중구
3 최길영 대한민국 대전 유성구
4 채종석 대한민국 대전광역시 유성구
5 송정근 대한민국 부산 해운대구
6 허영헌 대한민국 부산 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0267308-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0003308-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0131904-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0345633-65
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0345422-38
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0345631-74
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0345420-47
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0593793-56
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0426965-87
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0782756-55
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0782754-64
14 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0585487-04
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막, 그리고 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체 를 포함하고, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 동일한 용해성 물질을 포함하는 박막 트랜지스터
2 2
게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막의 표면에 형성된 표면 처리막, 그리고 상기 게이트 전극과 중첩하는 위치에 형성되는 반도체 를 포함하고, 상기 표면 처리막은 HMDS(hexa methylene disilazane)를 포함하는 박막 트랜지스터
3 3
삭제
4 4
제2항에서, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 동일한 용해성 물질을 포함하는 박막 트랜지스터
5 5
제4항에서, 상기 용해성 물질은 나노 실버 잉크로 형성되는 박막 트랜지스터
6 6
삭제
7 7
기판 위에 제1 용액을 이용하여 제1 조건의 용액 공정으로 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 용액을 이용하여 상기 제1 조건의 용액 공정으로 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 제2 용액을 이용하여 제2 조건의 용액 공정으로 게이트 절연막을 형성하는 단계 제3 용액을 이용하여 제3 조건의 용액 공정으로 상기 게이트 전극과 중첩하게 반도체를 형성하는 단계, 그리고 노출된 기판 및 상기 게이트 절연막의 표면을 제4 용액을 이용하여 처리하여 표면 처리막을 형성하는 단계 를 포함하고, 상기 용액 공정은 모두 동일한 용액 공정인 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제7항에서, 상기 용액 공정은 잉크젯 프린팅 방식인 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제7항에서, 상기 표면 처리막 형성 단계는 스핀 코더를 이용하여 상기 제4 용액을 상기 노출된 기판 및 상기 게이트 절연막의 전면에 도포하여 상기 표면 처리막을 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT성장동력기술개발 RFID 시스템 고도화 기술개발