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기판, 제1 전극, 유기 발광층, 제2 전극이 적층된 발광부; 및상기 기판과 상기 제1 전극의 사이에 랜덤(random)하게 분포되는 제1 개구부를 포함하는 나노 구조체를 포함하고,상기 나노 구조체는 굴절률이 1
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기판, 제1 전극, 유기 발광층, 제2 전극이 적층된 발광부;상기 기판과 상기 제1 전극의 사이에 랜덤하게 분포되는 제1 개구부를 포함하는 나노 구조체; 및상기 제1 전극이 적층되는 상기 기판의 적층면에 랜덤하게 형성되는 제2 개구부를 포함하는 나노 패턴부;를 포함하는 유기 발광 소자
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 구조체는 가시광선 흡수율이 10% 이하인 유기 발광 소자
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제 2 항에 있어서,상기 나노 구조체는 굴절률이 1
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 구조체의 폭은 1000nm 범위 내에서 100nm 이상이며, 상기 각 나노 구조체 간의 간격은 3000nm 범위 내에서 100nm 이상인 유기 발광 소자
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6
제 2 항에 있어서,상기 나노 패턴부에 의해 형성된 볼록부의 폭은 1000nm 범위 내에서 100nm 이상이며, 상기 각 볼록부 사이의 간격은 3000nm 범위 내에서 100nm 이상인 유기 발광 소자
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7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 구조체를 덮도록 적층되는 평탄층을 포함하고,상기 평탄층은 굴절율이 2
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8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1 전극이 적층되는 상기 기판의 적층면의 반대면에 외부 광추출부가 형성되는 유기 발광 소자
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9
기판, 제1 전극, 유기 발광층, 제2 전극이 적층된 유기 발광 소자에서 비젖음(dewetting) 현상으로 형성된 금속막을 마스크로 하여 상기 기판과 상기 제1 전극의 사이에 나노 구조체 또는 나노 패턴부를 형성하는 유기 발광 소자 제조 방법
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10
굴절률이 1
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11
굴절률이 1
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12
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 기판의 가열 온도는 400도 범위 내에서 200도 이상인 유기 발광 소자 제조 방법
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13
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 제1 부분의 폭은 1000nm 범위 내에서 100nm 이상이고, 상기 제1 부분 간의 거리는 3000nm 범위 내에서 100nm 이상인 유기 발광 소자 제조 방법
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14
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 금속막은 Ag, Au, Cu, Pt, Ni, Cr, Pd, Mg, Pb, Mo 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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15
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 금속막의 두께는 100nm 범위 내에서 5nm 이상인 유기 발광 소자 제조 방법
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 유기층의 두께는 1000nm 범위 내에서 50nm 이상인 유기 발광 소자 제조 방법
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,2000nm 범위 내에서 100nm 이상의 두께를 가지고, 가시광선 흡수율이 10% 이하이며, 표면 거칠기 Ra가 10nm 이하인 평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 기판에 마이크로 렌즈 어레이층, 미세 요철 패턴층, 광산란층, 저반사 코팅층 중 적어도 하나를 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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