요약 |
본 발명은 저전압 밴드갭 기준전압 발생기에 관한 것으로, 게이트와 소오스가 공통으로 제1 노드 및 전원단자에 각각 연결되며, 드레인이 제2 및 제3 노드에 각각 연결되며, 전류 미러의 형태로 이루어진 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터와, 게이트와 소오스가 공통으로 상기 제1 노드 및 상기 전원단자에 각각 연결되며, 드레인이 제4 및 제5 노드에 각각 연결되는 제3 및 제4 PMOS 트랜지스터와, 비반전 및 반전 입력단자가 상기 제2 및 제3 노드에 각각 연결되며, 출력단자가 상기 제1 노드에 연결되는 피드백 증폭기와, 상기 제3 노드와 제6 노드 사이에 접속되는 제1 저항과, 상기 제5 노드와 접지 사이에 접속되는 제2 저항과, 에미터가 상기 제2, 제6 및 제4 노드에 각각 연결되며, 콜렉터와 베이스가 접지되는 제1 내지 제3 바이폴라 트랜지스터와, 상기 제4 및 제5 노드에 직렬로 접속되며 상기 제4 및 제5 노드 사이의 평균전압을 추출하기 위해 전류 흐름을 차단할 수 있는 큰 임피턴스를 갖는 제1 및 제2 소자를 포함하며, 상기 제4 및 제5 노드 사이의 평균전압을 기준전압으로 사용함으로써, 온도, 전원전압, 공정변화에 영향을 받지 않는 1V 이하의 공급전압에서도 안정된 기준전압을 제공할 수 있는 효과가 있다.밴드갭 기준전압 발생기, 기준전류 발생기, 바이폴라 트랜지스터
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