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Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자구조를 갖는 질화물 반도체 발광 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 성장되는 완충층;상기 완충층 위에 도핑된 GaN 물질로 성장되는 제 1 p-형 컨택층;상기 제 1 p-형 컨택층 상에 도핑된 AlxGa1-xN(0
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제 1항에 있어서, 상기 제 2 p-형 컨택층은 마그네슘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 AlxGa1-xN(0
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제 1항에 있어서,상기 제 1 전자확산층은 의도적으로 n-도핑되거나 도핑되지 않은 InyGa1-yN(y는 제 2 정공확산층의 인듐 조성비와 성장기술 오차 범위 내에 있음)의 조성을 갖는 물질로 성장되며, 의도적으로 n-도핑되는 경우 실리콘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이하의 농도로 도핑한 것이고, 상기 제 2 n-형 컨택층은 실리콘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 AlxGa1-xN(x는 제 2 p-형 컨택층의 알루미늄 조성비와 성장기술 오차범위 내에 있음)의 조성을 갖는 물질로 성장된 것인 질화물 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 제 1 p-형 컨택층은 마그네슘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 GaN 물질을 이용하여 0
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제 1항에 있어서, 상기 제 2 p-형 컨택층의 두께는 5㎚ 내지 50㎚인 질화물 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 제 1 정공확산층의 두께는 0
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제 1항에 있어서, 상기 제 2 정공확산층은 마그네슘 원자를 1 x 1017 ㎝-3 내지 1 x 1018 ㎝-3의 농도로 도핑한 InzGa1-zN(0≤z≤0
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제 1항에 있어서,상기 발광활성 영역은 제 2 정공확산층 상에 순차적으로 제 1 양자 우물벽층, 양자우물층 및 제 2 양자우물벽층으로 구성된 단일양자우물이 성장된 것인 질화물 반도체 발광 소자
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제 8항에 있어서, 상기 제 1 양자우물벽층은 의도적으로 도핑되지 않거나, 마그네슘 원자를 1 x 1017 ㎝-3 이하의 농도로 p-도핑한 제 2 정공확산층과 같은 InzGa1-zN의 조성을 갖는 물질을 이용하여 5㎚ 내지 20㎚의 두께로 성장된 것인 질화물 반도체 발광 소자
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10
제 8항에 있어서,상기 양자우물층은 의도적으로 도핑되지 않은 InxGa1-xN의 조성을 갖는 물질을 이용하여 0
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11
제 8항에 있어서,상기 제 2 양자우물벽층은 제 1 양자우물벽층과 같은 인듐 조성비를 갖는 InzGa1-zN 물질 및 같은 두께로 성장되며, 의도적으로 도핑되지 않거나 또는 실리콘 원자로 1 x 1017 ㎝-3 이하의 농도로 n-도핑되는 것인 질화물 반도체 발광 소자
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12
제 1항에 있어서,상기 제 2 전자확산층은 실리콘 원자를 1 x 1017 ㎝-3 내지 1 x 1018 ㎝-3의 농도로 도핑한 InzGa1-zN의 조성을 갖는 물질을 이용하여 5㎚ 내지 100㎚의 두께로 성장되며, 인듐 조성비 z는 상기 제 2 정공확산층의 인듐 조성비와 성장기술 오차 범위 내에 있는 것인 질화물 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 제 1 전자확산층의 두께는 0
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제 1항에 있어서,상기 제 2 n-형 컨택층의 두께는 5㎚ 내지 50㎚인 질화물 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 제 1 n-형 컨택층은 실리콘 원자로 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 GaN을 이용하여 10㎚ 내지 1㎛의 두께로 성장된 질화물 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 제 1 n-형 컨택층과 접촉하는 n-형 금속전극, 및 제 2 정공확산층, 제 1 정공확산층, 제 2 p-형 컨택층 또는 제 1 p-형 컨택층에 접촉하는 p-형 금속전극을 더 포함하는 질화물 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 제 1 n-형 컨택층과 접촉하는 n-형 금속전극, 및 기판 및 완충층이 제거된 제 1 p-형 컨택층 하부에 접촉하는 p-형 금속 전극을 더 포함하는 질화물 반도체 발광 소자
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제 8항에 있어서,제 2 정공확산층 상에 성장된 발광활성 영역은 제 1 양자우물벽층, 양자우물층 및 제 2 양자우물벽층으로 구성되는 단일양자우물이 1 내지 10개의 복수로 구성되는 것인 질화물 반도체 발광 소자
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