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그래핀 박막의 증착방법

  • 기술번호 : KST2015086523
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 박막의 증착방법에 관한 것으로, 기판에 기상의 그래핀 소스를 제공하는 단계와, 상기 그래핀 소스를 상기 기판 상에 흡착층을 형성하는 단계와, 상기 흡착층을 가열하여 상기 흡착층을 활성화하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따르면, 대면적의 균일한 그래핀 박막을 형성할 수 있다.그래핀, 시간분할 급속가열, 그래핀 소스, 활성 소스
Int. CL C23C 16/32 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01)
출원번호/일자 1020090123339 (2009.12.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1279606-0000 (2013.06.21)
공개번호/일자 10-2011-0066608 (2011.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.11)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성덕 대한민국 대전광역시 유성구
2 강승열 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)영도유리산업 충청북도 음성군
2 지트로닉스 주식회사 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0767277-76
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0074545-66
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0773039-42
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0147535-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0147534-68
6 등록결정서
Decision to grant
2013.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0410867-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 기상의 그래핀 소스를 제공하고;상기 그래핀 소스를 상기 기판 상에 흡착시켜 흡착층을 형성하고; 그리고상기 흡착층을 가열하여 상기 흡착층을 활성화하는 것을;포함하는 그래핀 박막 증착방법
2 2
제1항에 있어서,상기 그래핀 소스를 제공하는 것은:상기 기판에 탄소화합물을 제공하는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
3 3
제2항에 있어서,상기 탄소화합물을 제공하는 것은:상기 기판에 일산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔 및 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 기상 상태로 제공하는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
4 4
제1항에 있어서,상기 흡착층을 형성하는 것은:대기압 이하의 저압 환경에서 상기 기상의 그래핀 소스를 상기 기판 상에 흡착하는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
5 5
제1항에 있어서,상기 흡착층을 활성화하는 것은:상기 흡착층을 700 내지 1000℃로 가열하여 상기 흡착층의 탄소 성분들이 서로 결합하게 하는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
6 6
제1항에 있어서,상기 흡착층을 활성화하는 것은;상기 흡착층에 기상의 활성 소스를 제공하는 것을 더 포함하는 그래핀 박막 증착방법
7 7
제6항에 있어서,상기 활성 소스를 제공하는 것은:상기 흡착층에 N, NH3, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 물질을 기상 상태로 제공하는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
8 8
제1항에 있어서,상기 그래핀 소스를 제공하는 것은:상기 기판에 희석가스를 제공하는 것을 더 포함하는 그래핀 박막 증착방법
9 9
제8항에 있어서,상기 희석가스를 제공하는 것은:상기 기판에 영족 기체, 질소, 암모니아, 수소 및 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 상기 그래핀 소스와 더불어 제공하는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
10 10
기판냉각부와 급속가열부가 장착된 반응챔버를 포함하는 그래핀 박막 증착장치를 제공하고;상기 반응챔버에 기판을 제공하여 상기 기판냉각부 상에 상기 기판을 지지하고;상기 반응챔버에 그래핀 소스를 기상 상태로 제공하여 상기 기판 상에 상기 그래핀 소스의 흡착층을 형성하고;상기 흡착층을 형성한 후, 상기 반응챔버에 잔류된 그래핀 소스를 상기 반응챔버로부터 퍼지하고;상기 반응챔버에 활성 소스를 기상 상태로 제공하고;상기 급속가열부로써 상기 기판을 가열하여 상기 흡착층을 활성화하고; 그리고상기 흡착층을 활성화한 후, 상기 반응챔버에 잔류된 활성 소스를 상기 반응챔버로부터 퍼지하는 것을;포함하는 그래핀 박막 증착방법
11 11
제10항에 있어서,상기 반응챔버에 그래핀 소스를 제공하기 이전에,상기 그래핀 소스 및 상기 활성 소스를 상기 반응챔버를 경유하지 아니하고 바이패스시켜 상기 그래핀 박막 증착장치 내에서의 상기 소스들의 흐름을 정상상태로 유지시키는 것을 더 포함하는 그래핀 박막 증착방법
12 12
제10항에 있어서,상기 반응챔버에 그래핀 소스를 제공하는 것은:상기 그래핀 소스와 더불어 희석가스를 상기 반응챔버에 제공하고, 상기 반응챔버의 압력을 대기압 이하의 저압으로 설정하는 것을 더 포함하는 그래핀 박막 증착방법
13 13
제10항에 있어서,상기 반응챔버에 그래핀 소스를 제공하는 것은:상기 활성 소스를 상기 반응챔버를 경유하지 아니하고 바이패스시켜 상기 그래핀 박막 증착장치 내에서의 상기 활성 소스의 흐름을 정상상태로 유지시키는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
14 14
제10항에 있어서,상기 반응챔버에 상기 활성 소스를 제공하는 것은:상기 그래핀 소스를 상기 반응챔버를 경유하지 아니하고 바이패스시켜 상기 그래핀 박막 증착장치 내에서의 상기 그래핀 소스의 흐름을 정상상태로 유지시키는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
15 15
제10항에 있어서,상기 그래핀 소스와 상기 활성 소스는 상기 반응챔버에 교번적으로 제공되는 그래핀 박막 증착방법
16 16
제10항에 있어서,상기 그래핀 박막 증착장치는 상기 그래핀 소스 및 상기 활성 소스를 가열하는 히팅블록을 포함하고, 상기 소스들은 상기 히팅블록에 의해 기화되거나 혹은 응축이 방지되는 그래핀 박막 증착방법
17 17
제16항에 있어서,상기 그래핀 박막 증착장치는 상기 그래핀 소스를 저장하는 제1 소스통과 상기 활성 소스를 저장하는 제2 소스통을 더 포함하고,상기 히팅블록은 상기 제1 및 제2 소스통들을 독립적으로 혹은 연동적으로 가열하는 그래핀 박막 증착방법
18 18
제10항에 있어서,상기 흡착층을 활성화한 이후에,상기 기판을 적어도 탄소분해가 일어나지 않는 온도까지 냉각하는 것을 더 포함하는 그래핀 박막 증착방법
19 19
제18항에 있어서,상기 기판을 냉각하는 것은 상기 기판의 온도를 상기 탄소분해가 일어나지 않는 500℃로 내리는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
20 20
제10항에 있어서,상기 기판을 가열하는 것은 상기 기판의 온도를 700 내지 1100℃ 범위로 올리는 것을 포함하는 그래핀 박막 증착방법
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