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애노드 기판과 대향하는 절연체의 캐소드 기판,
상기 캐소드 기판 상에 서로 이격되어 배열되어 있는 복수의 캐소드 전극, 그리고
상기 캐소드 전극 상에 형성되는 에미터를 포함하며,
상기 복수의 캐소드 전극 사이의 이격 거리가 1㎛ 내지 50 ㎛인
전계 방출 장치
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2
제1항에 있어서,
상기 에미터로부터 상기 캐소드 전극 끝단까지의 거리가 150 ㎛ 내지 500 ㎛ 인 전계 방출 장치
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3
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 캐소드 기판은 소다 유리인 전계 방출 장치
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제3항에 있어서,
상기 캐소드 전극이 진공 증착 방법으로 형성된 크롬일 경우, 상기 복수의 캐소드 전극 사이의 이격 거리가 50 ㎛이고, 상기 에미터로부터 상기 캐소드 전극 끝단까지의 거리가 150 ㎛인 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치
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5
제2항에 있어서,
상기 전계 방출 장치는
상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 사이에 형성되어 있으며, 상기 에미터의 전자 방출을 유도하는 게이트 전극을 더 포함하는
전계 방출 장치
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6
애노드 기판과 대향하는 절연체의 캐소드 기판,
상기 캐소드 기판 상에 서로 이격되어 배열되어 있는 복수의 캐소드 전극,
상기 캐소드 전극 상에 형성되는 에미터, 그리고
상기 복소의 캐소드 전극 사이에 노출된 상기 캐소드 기판 상에 형성되어 상기 캐소드 기판의 노출된 부분에서의 전하 축적을 방지하는 전하축적 방지부를 포함하는 전계 방출 장치
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7
제6항에 있어서,
상기 전하축적 방지부는
소정의 전도성을 가지는 저항체를 포함하는
전계 방출 장치
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8
제7항에 있어서,
상기 저항체는 상기 캐소드 전극과 상기 캐소드 기판 사이에 상기 캐소드 기판 전면을 덮으며 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치
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9
제7항에 있어서,
상기 저항체는 상기 복수의 캐소드 전극 및 상기 캐소드 기판의 노출된 부분을 덮으며 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치
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10
제6항에 있어서,
상기 전하축적 방지부는
상기 캐소드 전극과 상기 캐소드 기판 사이에 형성되어 있는 단차를 포함하는 전계 방출 장치
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11
제10항에 있어서,
상기 단차는 상기 캐소드 전극 사이에 노출되는 상기 캐소드 기판에 홈을 형성하여 이루어지는 전계 방출 장치
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12
제10항에 있어서,
상기 단차는 상기 캐소드 전극의 두께에 의해 상기 캐소드 전극과 상기 캐소드 기판 사이에 홈을 형성하여 이루어지는 전계 방출 장치
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13
제 8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전계 방출 장치는
상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 사이에 형성되어 있으며, 상기 에미터의 전자 방출을 유도하는 게이트 전극을 더 포함하는
전계 방출 장치
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