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포토 다이오드,상기 포토 다이오드로부터의 전자를 집속하는 확산 영역,상기 포토 다이오드와 상기 확산 영역을 연결하는 트랜스퍼 트랜지스터 및 상기 확산 영역으로부터 신호를 득출하는 득출 회로를 포함하는 적어도 2개 이상의 단위 화소를 포함하는 이미지 센서에 있어서,이웃한 상기 적어도 2개 이상의 단위 화소는 하나의 포토 다이오드를 공유하고, 공유 포토 다이오드를 기준으로 서로 대칭적으로 배치되고, 상기 공유 포토 다이오드와 연결되어 있는 복수의 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 동시에 턴온 신호를 가하여 감지 신호를 생성하는 공유 포토다이오드 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 공유 포토 다이오드에 대하여 이웃한 상기 단위 화소의 트랜스퍼 트랜지스터가 상기 공유 포토 다이오드를 기준으로 대칭적으로 위치하는 공유 포토다이오드 이미지 센서
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제2항에 있어서, 상기 공유 포토 다이오드는 4개의 이웃한 상기 단위 화소의 상기 포토 다이오드가 인접하여 형성되며, 4개의 상기 트랜스퍼 트랜지스터는 상기 공유 포토 다이오드를 기준으로 서로 대칭적으로 위치하는 공유 포토 다이오드 이미지 센서
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제3항에 있어서, 상기 공유 포토 다이오드는 마름모 형태로 배치되어 있으며, 상기 트랜스퍼트랜지스터는 상기 마름모 형태의 꼭지점 영역에 위치하는 공유 포토 다이오드 이미지 센서
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제3항에 있어서, 이웃한 상기 공유 포토 다이오드로부터의 득출 신호를 조합하여 하나의 상기 감지 신호를 생성하는 공유 포토 다이오드 이미지 센서
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제5항에 있어서, 상기 감지 신호는 상기 이웃한 공유 포토 다이오드로부터의 상기 득출 신호의 합에 대응하는공유 포토 다이오드 이미지 센서
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제2항에 있어서,상기 공유 포토 다이오드는 하나의 마스크 영역을 통하여 형성되는공유 포토 다이오드 이미지 센서
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 공유 포토 다이오드 상에 에너지 장벽을 형성하기 위한 분리벽을 포함하는공유 포토 다이오드 이미지 센서
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제8항에 있어서,상기 분리벽은 상기 공유 포토 다이오드 위에 배선을 형성하고, 상기 배선에전압을 인가함으로써 에너지 장벽을 형성하는공유 포토 다이오드 이미지 센서
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제8항에 있어서, 상기 분리벽은 상기 공유 포토 다이오드 내에 이온 주입된 분리 영역을 통해에너지 장벽을 형성하는공유 포토 다이오드 이미지 센서
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제9항에 있어서,상기 배선은 금속 또는 폴리 배선으로 형성되어 있는공유 포토 다이오드 이미지 센서
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