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바이오 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015086764
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 나노선을 구비하는 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 전자빔 조사에 의한 결함 영역을 포함하는 실리콘 나노선을 구비하는 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 바이오 센서는 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 배치된 소스 영역; 상기 실리콘 기판 상에 배치된 드레인 영역; 및 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 배치되고, 전자빔의 조사에 의해 형성된 결함 영역을 포함하는 실리콘 나노선으로 구성된다. 본 발명은 고농도로 도핑된 실리콘 나노선의 일정 영역을 전자빔으로 조사하여 일정 영역의 전자 이동도를 감소시킴으로써, 실리콘 나노선과 금속전극 간의 낮은 접촉저항을 유지함과 동시에 바이오 물질을 감지하는 부분의 동작 전류를 낮추어 바이오 센서의 감도를 향상시킬 수 있다. 실리콘 나노선, 바이오 센서, 전계효과 트랜지스터
Int. CL G01N 23/00 (2011.01) G01N 23/08 (2011.01) G01N 33/48 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070132758 (2007.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0065272 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.17)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태엽 대한민국 서울특별시 은평구
2 박래만 대한민국 대전광역시 유성구
3 유한영 대한민국 대전광역시 유성구
4 장문규 대한민국 대전 유성구
5 양종헌 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0907643-55
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0385375-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.19 수리 (Accepted) 9-1-2008-0075791-54
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0416706-76
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0757193-50
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0145811-07
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.05.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0018730-00
10 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2010.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0246223-51
11 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2010.07.12 수리 (Accepted) 7-8-2010-0021063-33
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 배치된 소스 영역; 상기 실리콘 기판 상에 배치된 드레인 영역; 및 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 배치되고, 전자빔의 조사에 의해 형성된 결함 영역을 포함하는 실리콘 나노선 을 포함하는 바이오 센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 상에서 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 사이에 배치되는 절연층을 더 포함하고, 상기 실리콘 나노선은 상기 소스 영역, 상기 드레인 영역 및 상기 절연층 상에 배치되는 바이오 센서
3 3
제 1항에 있어서, 상기 소스 영역 상에 배치되고, 상기 소스 영역 및 상기 실리콘 나노선을 전기적으로 연결하는 제 1 전극; 및 상기 드레인 영역 상에 배치되고, 상기 드레인 영역 및 상기 실리콘 나노선을 전기적으로 연결하는 제 2 전극 을 더 포함하는 바이오 센서
4 4
제 1항에 있어서, 상기 결함 영역은 상기 실리콘 나노선의 다른 영역보다 낮은 전자 이동도를 갖는 바이오 센서
5 5
제 4항에 있어서, 상기 실리콘 나노선의 도핑농도는 1018/cm3 내지 1021/cm3인 바이오 센서
6 6
제 1항에 있어서, 상기 결함 영역의 길이는 5 nm 내지 100 nm인 바이오 센서
7 7
제 1항에 있어서, 상기 결함 영역은 100 keV 내지 300 keV의 가속전압으로 조사된 전자빔에 의해 형성되는 바이오 센서
8 8
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 SOI(Silicon On Insulator) 기판으로 구성되는 바이오 센서
9 9
(a) 실리콘 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 실리콘 기판 상에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계; (c) 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 실리콘 나노선을 배치하는 단계; 및 (d) 상기 실리콘 나노선의 일 영역에 전자빔을 조사하여 결함 영역을 형성하는 단계 를 포함하는 바이오 센서 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 단계 (b) 이후에, (b1) 상기 실리콘 기판 상에 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 사이에 배치되는 절연층을 형성하는 단계 를 더 포함하는 바이오 센서 제조 방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 단계 (c) 이후에, (c1) 상기 소스 영역 상에 상기 소스 영역 및 상기 실리콘 나노선을 전기적으로 연결하는 제 1 전극을 패터닝하는 단계; 및 (c2) 상기 드레인 영역 상에 상기 드레인 영역 및 상기 실리콘 나노선을 전기적으로 연결하는 제 2 전극을 패터닝하는 단계 를 더 포함하는 바이오 센서 제조 방법
12 12
제 9항에 있어서, 상기 단계 (d)는 100 keV 내지 300 keV의 가속전압으로 전자빔을 조사하여 상기 결함 영역을 형성하는 바이오 센서 제조 방법
13 13
제 9항에 있어서, 상기 결함 영역의 길이는 5 nm 내지 100 nm인 바이오 센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US08022444 US 미국 FAMILY
2 US20090152597 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2009152597 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8022444 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 건강관리용 모듈 시스템