맞춤기술찾기

이전대상기술

광배선 소자

  • 기술번호 : KST2015086855
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광배선 소자가 제공된다. 상기 광배선 소자는 소이(SOI: Silicon-On-Insulator) 기판 상에 배치된 제 1 반도체 칩, 소이 기판 상에, 상기 제 1 반도체 칩으로부터 전기 신호를 입력받아 광신호를 출력하는 광방출기, 소이 기판 상에, 상기 광신호를 감지하여 전기 신호로 변환하는 광검출기, 및 소이 기판 상에, 상기 광검출기로부터 전기 신호를 입력받는 제 2 반도체 칩을 포함한다. 광배선, 중간층, 소이 기판
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 27/14(2013.01) H01L 27/14(2013.01)
출원번호/일자 1020080120191 (2008.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1042708-0000 (2011.06.13)
공개번호/일자 10-2010-0061606 (2010.06.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.29)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이상흥 대한민국 대전광역시 서구
2 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
3 남은수 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0825214-15
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.12.22 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0880114-82
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2009.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0000051-25
4 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2009.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0008457-34
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0603670-76
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0112930-57
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0112931-03
9 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293946-78
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소이(SOI: Silicon-On-Insulator) 기판 상에 배치된 제 1 반도체 칩; 상기 소이 기판 상에, 상기 제 1 반도체 칩으로부터 전기 신호를 입력받아 광신호를 출력하는 광방출기; 상기 소이 기판 상에, 상기 광신호를 감지하여 전기 신호로 변환하는 광검출기; 상기 소이 기판 상에, 상기 광검출기로부터 전기 신호를 입력받는 제 2 반도체 칩; 상기 광방출기 상에 배치된 홀로그램 광기판; 및 상기 홀로그램 광기판 상에 배치된 거울판을 포함하는 광배선 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 소이(SOI) 기판은 상기 제 1 반도체 칩 및 상기 광방출기가 배치되는 제 1 소이 기판; 및 상기 제 2 반도체 칩 및 상기 광검출기가 배치되는 제 2 소이 기판을 포함하되, 상기 제 1 소이 기판과 상기 제 2 소이 기판은 이격되어 배치되는 광배선 소자
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 제 1 소이 기판과 상기 제 2 소이 기판이 배치되는 회로 기판을 더 포함하는 광배선 소자
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 광방출기는 상기 소이 기판 상의 중간층 및 상기 중간층 상의 3족-5족 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 중간층의 격자상수는 상기 소이 기판의 소이층의 격자상수보다 크고 상기 3족-5족 화합물 반도체층의 격자상수보다 작은 광배선 소자
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 중간층은 실리콘-게르마늄층인 광배선 소자
6 6
삭제
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 홀로그램 광기판은 상기 광방출기로부터 출력된 광신호를 이용하여 홀로그램을 생성하는 홀로그램 트랜스미터를 포함하는 광배선 소자
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 광검출기는 실리콘-게르마늄 핀(PIN: Positive Intrinsic Negative) 포토 다이오드, 실리콘-게르마늄 포토 다이오드, 실리콘 포토 다이오드 또는 게르마늄 포토 다이오드 중 어느 하나를 포함하는 광배선 소자
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.